SK하이닉스가 2030년까지 800층 이상의 낸드 플래시 메모리를 출시하겠다는 로드맵을 발표했다. SK하이닉스는 해당 제품을 통해 100~200TB의 SSD를 생산할 계획이다.
최근 일부 외신에 따르면, SK하이닉스는 지난주 미국에서 열린 플래시 메모리 서밋에서 2030년까지 800층 이상의 플래시 메모리 생산 계획에 따른 로드맵을 제시했다.
SK하이닉스의 로드맵에 따르면, V4 72층 현재 대량 생산 중 V5 96층 현재 대량 생산 중, 생산량이 V4를 넘어 V6 128층 2019년 4분기 양산 예정 V7 176층 2020년 출시 500층 2025년 출시, TB/웨이퍼 용량 비율이 30% 증가 800층 이상: 2030년 출시, TB/웨이퍼 용량 비율이 100~200TB로 증가할 계획이다.
현재 SK 하이닉스가 생산하는 128층 플래시 메모리는 1Tbit이며, 176층의 용량은 1.38Tbit, 500층은 3.9Tbit, 800층은 6.25Tbit까지 성장할 전망이다.
현재 SSD 하드 디스크 용량은 약 15~16TB로, 삼성전자는 30TB 이상의 SSD 하드 디스크를 생산 중에 있다. 800층까지 6배의 용량이 증가하면, SSD의 용량도 200TB까지 늘어날 전망이다.
지난 6월 26일 SK하이닉스는 128단 1Tbit TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시를 개발하고 양산에 나선다고 밝힌 바 있다. 또한 삼성전자는 지난 6일 100단 이상의 '6세대 256Gb 3비트 V낸드' 기반의 '기업용 PC SSD'를 양산해 글로벌 PC 업체에 공급했다고 밝혔다.
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128단 1Tb TLC 낸드플래시(사진=SK하이닉스) |
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