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03.01 (토)

삼성전자·SK하이닉스, 작년 4분기 HBM '희비교차'…2025년 '지속'

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[윤상호 기자]

삼성전자 및 SK하이닉스 로고/사진=각사 제공

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삼성전자와 SK하이닉스가 작년 4분기 실적을 공개했다. SK하이닉스가 사상 처음으로 분기 영업이익에서 삼성전자를 제쳤다. 메모리반도체 시장 이익도 SK하이닉스가 앞선 것으로 여겨진다. 불확실성은 양사가 같지만 고대역폭메모리(HBM)에서 희비가 갈렸다. 메모리 시장에서의 양사 이익 역전은 올해도 이어질 전망이다. 하지만 양사 모두 1분기는 어렵다고 입을 모았다.

31일 삼성전자는 한국채택국제회계기준(K-IFRS) 연결기준 디바이스설루션(DS)부문 매출액과 영업이익을 각각 30조1000억원과 2조9000억원으로 집계했다. 매출액은 전기대비 3% 전년동기대비 39% 증가했다. 영업이익은 전기대비 25.6% 감소했지만 전년동기대비 흑자전환했다.

DS부문은 메모리사업부 시스템LSI사업부 파운드리(반도체 수탁생산)사업부로 구성했다. 삼성전자는 메모리사업부 매출액만 따로 발표한다. 작년 4분기 메모리사업부 매출액은 23조원이다. 전기대비 3% 전년동기대비 46% 상승했다. 증권가는 영업이익은 메모리사업부만 냈을 것으로 여겼다. 5조원 가량으로 추정했다.

SK하이닉스의 같은 기간 매출액과 영업이익은 각각 19조7670억원과 8조0828억원이다. 매출액은 전기대비 13% 전년동기대비 75% 성장했다. 영업이익은 전기대비 15% 전년동기대비 2236% 급증했다.

작년 4분기 메모리 가격은 하락을 지속했다. D램은 중국 업체의 더블데이터레이트(DDR)4와 저전력(LP)DDR4 등 기존 반도체 저가 공세로 가격 방어가 안 됐다. 낸드플래시는 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD)를 제외한 나머지 수요가 약세를 기록했다. 시장조사기관 트렌드포스는 작년 4분기 D램과 낸드 전기대비 평균 3~8% 가격이 떨어졌다고 파악했다. 반면 HBM은 전기대비 0~8% eSSD는 0~5% 올랐다고 분석했다.

SK하이닉스, 제품군 전환 삼성전자보다 빨라…삼성전자, "연내 추격 완료"

양사 실적이 갈린 이유도 같다. 삼성전자가 D램과 낸드 각각 시장 점유율 1위기라 매출은 SK하이닉스보다 크다. SK하이닉스는 HBM 1위 효과로 영업이익에서 삼성전자를 앞섰다. 삼성전자는 HBM 비중을 내놓지는 못했지만 DDR4와 LPDDR4 매출 비중은 밝혔다. SK하이닉스가 HBM을 포함 고부가가치 비중이 높다.

삼성전자는 "작년 DDR4 및 LPDDR4 매출 비중은 30%대 초반으로 올해 한 자릿수 초반까지 줄일 것"이라고 전했다.

SK하이닉스는 "DDR4 및 LPDDR4 매출 비중을 작년 20% 수준에서 올해 한 자릿수로 축소할 것"이라고 말했다.

양사의 기존 제품 매출 축소 비중 목표를 감안하면 고부가가치 제품 중 DDR5와 HBM의 구성이 수익성을 좌우할 전망이다. HBM 상황은 SK하이닉스가 유리하다. 최대 수요처인 엔비디아 최대 공급처기 때문이다. 삼성전자도 작년 4분기 엔비디아를 뚫었다. 양사 모두 올해 전년대비 HBM 100% 이상 확장이 목표다. SK하이닉스가 현재 HBM 1위기 때문에 성장률이 동일하면 순위 뒤바뀜은 없다.

삼성전자는 "5세대 HBM(HBM3E) 개선 제품으로 수요가 쏠려 1분기 일시적으로 HBM 비중이 낮아지지만 연간 HBM 공급량은 전년대비 2배가 될 것"이라며 "작년 4분기 다수의 그래픽처리장치(GPU) 공급사와 데이터센터(DC) 고객용으로 HBM3E 공급을 확대해 HBM3E 매출이 4세대 HBM(HBM3) 매출을 넘어섰다"라고 설명했다.

SK하이닉스는 "올해 HBM 생산분의 계약은 이미 끝났다"라며 "전년대비 100% 이상 성장이 예상된다"라며 "HBM3E 12단 제품 상반기 HBM 전체의 절반 이상 차지할 것"이라고 분석했다.

삼성전자의 HBM 반격은 내년이다. 삼성전자는 영업이익 부진 이유를 미래 준비를 위한 투자 탓이라고 했다. HBM3E 16단과 6세대 HBM(HBM4)가 승부처다.

삼성전자는 "HBM3E 16단은 샘플을 주요 고객사에 전달했다"라며 "HBM4는 올 하반기 양산을 목표로 개발을 진행 중"이라고 강조했다.

SK하이닉스는 "업계 최초로 HBM3E 16단을 개발했다"라며 "2026년 주류가 될 HBM4 12단은 올해 개발과 양산 준비를 완료할 것"이라고 제시했다.

낸드, 양사 공급 축소…반등, 수요 회복 시점 관건

낸드는 감산으로 공급을 조절한다. 경기 침체로 인한 수요 부진이 언제 해소될지가 문제다. 여기에 낸드는 D램 보다 먼저 중국 업체가 저가 공격을 시작했다.

삼성전자는 "낸드는 공정 전환 과정에서 설비 교체가 필요해 단기적인 생산 축소가 클 것"이라며 "쿼드레벨셀(QLC) eSSD 수요에 적극 대응하면서 공정 전환을 본격화할 것"이라고 평가했다.

SK하이닉스는 "지난 다운턴(경기 하락) 기간 기존 생산시설(팹)은 감산하고 eSSD 제외 제품은 제한적으로 생산을 유지했다"라며 "수요 개선이 확인될 때까지 현재 상황을 지속할 것"이라고 예고했다.

메모리 시장 바닥은 1분기다. 삼성전자와 SK하이닉스의 의견이 일치했다.

삼성전자는 "1분기 D램 비트그로스는 전기대비 한 자릿수 후반 내려가고 낸드 비트그로스는 전기대비 10%대 초반 적어진다"라며 "반도체 약세로 전사 실적 개선은 제한적"이라고 예견했다.

SK하이닉스는 "1분기 D램과 낸드 비트그로스는 전기대비 각각 10%대 초반과 10%대 후반 낮아질 것"이라며 "시황 조정기에도 과거 대비 안정적인 매출과 이익을 달성할 수 있는 사업 체질을 갖췄다"라고 내다봤다.

딥시크 충격 '단기적'…AI 반도체, 성장세 유지

한편 인공지능(AI) 반도체의 메모리 견인은 상당 기간 이어질 전망이다. 미국 정부의 중국 AI 견제 중국 딥시크 등장 등에 대한 우려는 과도하다고 봤다.

삼성전자는 "신기술 도입에 따른 업계의 변화 가능성은 언제나 있다"라며 "판단은 이르나 장기적 기회 요인과 단기적 위험 요인이 공존할 것"이라고 판단했다.

SK하이닉스는 "AI 시장은 학습과 추론 성장과 더불어 서비스 접목으로 발전하고 있어 기대 이상의 성장 잠재력을 갖고 있다"라며 "장기적 성장세에 대해선 의심의 여지가 없다"라고 확신했다.

윤상호 기자 crow@techm.kr

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