"TSMC 잡아라" 삼성전자 비메모리 171조 쏟아붓는다…2030년까지

삼성전자 미국 텍사스 오스틴 반도체 공장 전경. [사진 제공 = 삼성전자]

삼성전자가 시스템반도체(비메모리) 세계 1위를 위해 38조원의 추가 투자를 단행했다. 당초 발표한 2030년까지 133조원 투자와 합치면 총 171조원을 투자하게 되는 셈이 된다.

이와 함께 삼성전자는 세계 최대 규모의 평택캠퍼스 P3 라인을 내년 하반기까지 완공해 메모리 반도체 부문의 '초격차' 전략을 가속화한다.

◆ 시스템반도체 투자 133조원→171조원

대만 TSMC의 반도체 생산라인. [사진 출처 = TSMC]

삼성전자는 13일 평택캠퍼스에서 열린 'K-반도체 벨트 전략 보고대회'에서 향후 2030년까지 시스템반도체 분야에 대한 추가 투자계획을 발표했다.

시스템반도체 리더십 조기 확보를 위해 '시스템반도체 비전 2030' 발표 당시 수립한 133조원의 투자계획에 38조원을 추가해 2030년까지 총 171조원을 투자한다. 이에 따라 첨단 파운드리 공정 연구개발과 생산라인 건설에 더욱 박차를 가한다는 계획이다.

2019년 4월 정부는 삼성전자 화성사업장에서 '시스템반도체 비전 선포식'을 열고 시스템반도체 육성을 통해 종합 반도체 강국으로 거듭나겠다는 계획을 밝혔다. 삼성전자는 이때 '시스템반도체 비전 2030'을 제시하며 133조원 투자계획을 발표했다.

앞서 TSMC는 추가 투자 계획을 밝히며 초격차 의지를 드러냈다. 지난달 1일 TSMC는 성명을 내고 향후 3년간 1000억 달러(약 110조)를 반도체 생산 능력 확대에 투자할 계획이라고 밝혔다. 올해 1월 발표한 올해 280억 달러(약 31조원) 투자까지 합치면 4년간 144조원을 투자하는 격이다.

TSMC 역시 삼성을 강력한 경쟁상대로 느끼고 있다. 지난달 22일 장중머우 TSMC 창업자는 대만 현지 한 포럼 강연에서 "삼성은 '두려운 경쟁상대'에서 '강력한 경쟁 상대'로 변하고 있다"며 "중국과 미국은 아직 경쟁상대가 안 된다"고 말했다.

TSMC는 파운드리 시장 50% 이상을 차지할 정도로 압도적인 1위다. 다만 7nm미터 이하 미세공정에서는 2위 삼성전자와 격차가 상대적으로 크지 않다.

대형 고객사의 물량을 더 따내기 위해서는 추가 투자가 필요하다는 의미다.

TSMC는 대만과 미국 등에 신공장을 건설할 예정이다. 특히 5nm 라인 확대 및 3nm 개발에 총력을 기울이면서 미세공정 핵심으로 꼽히는 EUV 장비 확보에도 나선 상태다.

◆ 2022년 하반기 평택 3라인 완공

삼성전자 반도체 생산현장. [사진 제공 = 삼성전자]

삼성전자는 국내에서도 메모리 반도체 '초격차' 전략을 가속화한다.

삼성전자 김기남 부회장은 이날 행사에서 현재 공사가 한창인 평택 3라인(P3)을 2022년 하반기에 완공하고 본격적인 생산에 들어갈 것이라고 공개했다.

평택 P3 라인은 공장의 길이가 700m로 P2(400m) 라인의 1.75배에 달하는 것으로 알려져 있다. 클린룸의 규모는 축구장 면적의 25개 크기로 현존하는 단일 반도체 라인 중 세계 최대 규모다.

삼성전자는 이 곳에 EUV 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 비롯한 최첨단 공정의 반도체를 생산할 계획이다.

P3라인의 전체 투자 규모는 각각 30조원 가량이 투입된 P1, P2보다 훨씬 클 것으로 관측된다.

대당 2000억원이 넘는 극자외선(EUV) 장비를 많이 쓰는 삼성전자의 라인 특성을 고려할 때 P3 전체 투자비가 줄잡아 50조원을 넘어설 것이라는 예상이 나온다.

삼성전자는 앞으로 차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나갈 계획이다.

메모리와 시스템 반도체를 융합한 'HBM-PIM'과 D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 'CXL D램' 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가해 초격차를 유지하며 세계 1위의 위상을 공고히 한다는 계획이다.

김기남 부회장은 "한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다"며 "수성에 힘쓰기보다는 결코 따라올 수 없는 '초격차'를 벌리기 위해 선제적 투자에 앞장서겠다"고 강조했다.

[김승한 매경닷컴 기자 winone@mk.co.kr]

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