장태수 SK하이닉스 "1c DDR5 D램 개발로 기술 리더십 유지" [인더인싸]

[소부장반차장] 반도체 산업 경쟁력 강화 대통령 표창…

[디지털데일리 배태용 기자] 장태수 SK하이닉스 부사장이 10나노급 1c(6세대) DDR5 D램 개발의 공로를 인정받아 대통령 표창을 수상했다. 장 부사장은 "앞으로도 차세대 기술 개발을 통해 메모리 업계 1등 위상을 공고히 하겠다"고 밝혔다.

장 부사장은 지난 19일 열린 제52회 상공의 날 기념식에서 대한민국 반도체 산업 경쟁력 강화에 기여한 공로로 대통령 표창을 수상했다. 그는 SK하이닉스 뉴스룸과의 인터뷰에서 "1c DDR5 D램 개발로 기술 리더십을 더욱 확고히 다질 것"이라며 "초고속·저전력 제품을 고객에게 선제적으로 공급하고, 프리미엄 시장에서 초기 수요를 선점할 수 있도록 하겠다"고 강조했다.

장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 집중해 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸친 핵심 기술 개발에 참여했다. 특히, SK하이닉스가 세계 최초로 1c(6세대) DDR5 D램을 최단기간 내 개발하는 데 결정적인 역할을 했다.

1c 공정 기술은 고성능컴퓨팅(HPC)과 인공지능(AI) 시대의 핵심 기술로 꼽힌다. 미세 공정을 통해 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄일 수 있기 때문이다.

장 부사장은 "D램 셀 크기를 줄이면 HBM(고대역폭 메모리)의 칩 크기와 높이를 유지하면서도 용량을 늘릴 수 있다"며 "HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수 있는 여지가 커진다"고 설명했다. 이어 "미세화된 칩과 감소한 전력은 HBM의 열 관리에도 긍정적인 영향을 미쳐 AI 산업 발전에 기여할 것"이라고 덧붙였다.

SK하이닉스는 차세대 미세공정 혁신에도 속도를 내고 있다. 장 부사장은 "데이터 저장을 담당하는 커패시터의 면적을 확보하기 위해 고유전율 소재 및 새로운 구조의 커패시터 개발에 주력하고 있다"며 "소통을 통해 실패를 공유하고 교훈 삼아 성장하는 조직 문화를 기반으로 혁신을 이어가겠다"고 밝혔다.

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