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서울 서초구 삼성전자 본사./뉴스1 |
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삼성전자의 지난해 4분기 D램 점유율이 지난 2016년 3분기 이후 최대치를 기록했다.
27일 시장조사업체 옴디아에 따르면 삼성전자의 지난해 4분기 D램 점유율은 45.7%로 1위였다. 이는 2016년 3분기(48.2%) 이후 가장 높은 수준이다.
삼성전자가 점유율을 전 분기(38.7%) 대비 7%포인트(P) 늘리며 2위인 SK하이닉스와의 점유율 격차도 14%P로 벌어졌다.
SK하이닉스의 D램 점유율은 31.7%, 3위 마이크론의 점유율은 19.1%로 각각 집계됐다.
삼성전자의 4분기 D램 시장 매출은 전 분기 대비 21%, 전년 동기 대비 39% 증가하며 6분기 만에 처음으로 상승세를 보였다.
삼성전자의 4분기 D램 평균 가격은 모바일 D램 가격 상승에 힘입어 전 분기 대비 12% 상승했으며, 출하량은 전 분기 대비 16% 증가했다.
특히 DDR5와 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 제품의 매출이 크게 늘며 매출 상승에 기여한 것으로 보인다. 삼성전자는 SK하이닉스와 함께 HBM 시장을 사실상 양분하고 있다.
올해도 D램 매출은 전년 대비 증가할 것으로 예상된다.
삼성전자는 올해 HBM 생산을 위해 실리콘 관통 전극(TSV) 생산 능력을 업계 최고 수준으로 늘릴 계획이다.
전병수 기자(outstanding@chosunbiz.com)
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