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▲ SK하이닉스 321단 4D 낸드
SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 낸드 샘플을 공개했습니다.
300단 이상 낸드 개발 진행을 공식화한 것은 세계 최초입니다.
SK하이닉스는 현지시간으로 어제(8일) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 321단 1테라비트(Tb) TLC 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했습니다.
낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로, 셀을 수직으로 쌓아 올려 데이터 용량을 늘리는 적층 기술이 경쟁력의 핵심 요소로 꼽힙니다.
메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음입니다.
SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산한다는 계획입니다.
SK하이닉스 관계자는 "양산 중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다"며 "적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것"이라고 강조했습니다.
앞서 SK하이닉스는 지난해 8월 플래시 메모리 서밋 행사에서 업계 최고층인 238단 낸드 4D 신제품을 공개해 주목을 받았습니다.
(사진=SK하이닉스 제공, 연합뉴스)
김혜영 기자 khy@sbs.co.kr
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