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11.18 (월)

‘파운드리가 미래’… 삼성전자, 美에서 최첨단 파운드리 공정 공개

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- 파운드리 사업부 출범 후 첫 ‘삼성 파운드리 포럼’ 개최

- 해외 고객 및 파트너사 관계자 400여 명 참석

- 다양한 시장 요구에 맞춘 최신의 파운드리 공정 기술과 솔루션 소개


[헤럴드경제=홍석희 기자] 지난 12일 반도체 파운드리 사업을 ‘사업부’로 승격시키며 파운드리 사업 강화에 나선 삼성전자가 최첨단 파운드리 공정 기술과 솔루션을 공개했다. 외부 팹리스 고객사 확보에 적극 나설 것이란 관측이 제기된 시점에서 열린 포럼이라 더욱 이목이 집중된다.

삼성전자는 24일(미국 현지시각) 미국 산타클라라에서 ‘삼성 파운드리 포럼(Samsung Foundry Forum)’을 개최했다고 25일 밝혔다. 이번 포럼은 지난 12일 삼성전자 DS부문 조직개편에서 ‘파운드리(Foundry) 사업부’ 출범을 공식 선언한 이후 처음 열리는 행사이다. 기존 삼성전자 파운드리 사업은 시스템LSI사업부 내 ‘팀’으로 유지돼왔으나, 지난 12일 조직개편으로 별도 사업부로 승격됐다.

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삼성전자는 이번 포럼에서 파운드리(반도체 위탁생산) 고객사와 파트너사 관계자 약 400명이 참석한 가운데 8나노에서 4나노까지 광범위한 첨단 미세공정 로드맵과 FD-SOI(Fully Depleted-Silicon on Insulator) 솔루션 등 최첨단 파운드리 공정을 발표했다.

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삼성전자는 파운드리 고객 및 사업 파트너들과 기술의 방향을 공유하며 협력관계를 강화하고자 지난해부터 한국과 미국, 중국에서 ‘삼성 파운드리 포럼’을 개최해 왔으며, 올해도 이번 미국 포럼을 시작으로 국내 및 해외에서 진행 한다는 계획이다.

사물인터넷(IoT) 시대에는 수많은 양의 데이터를 생성ㆍ처리ㆍ연결 하는 기술이 요구되고, 이를 위해 실리콘 반도체 기술의 혁신을 통한 칩의 성능 향상과 저전력 솔루션이 필수적이다.

삼성전자는 이번 포럼에서 공개한 신규 최첨단 미세 공정 (8/7/6/5/4나노)과 18나노 FD-SOI 등 혁신적 공정기술이 이러한 산업 트렌드 변화에 최적의 솔루션이 될 것이라고 설명했다.

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파운드리사업부 윤종식 부사장은 “모든 기기가 연결되는 ‘초 연결 시대’에서 반도체의 역할도 커지고 있다.”며 “삼성전자는 광범위한 첨단 공정 로드맵을 보유하고 있는 파운드리 파트너로서 고객들과 적극적인 협력관계 구축을 통해 최적의 맞춤형 솔루션을 제공할 것 ”이라고 말했다.

업계에선 2016년 기준 삼성전자의 파운드리 사업 매출이 시스템LSI 사업부 매출의 40% 가량인 5조3000억원에 이를 것으로 추정하고 있다. 엑시노스 칩 위탁생산 매출까지 더하면 파운드리 매출 비중은 50%를 상회할 것으로 추산된다. 대신증권 김경민 연구원은 “삼성전자는 파운드리 사업부 승격 이후 외부 팹리스 고객사 확보를 적극 추진할 것”이라고 내다봤다.

hong@heraldcorp.com

[신규 발표 공정]

□ 8LPP (8나노 Low Power Plus) :

EUV 장비 도입 전 현 노광장비로 구현할 수 있는 가장 경쟁력 있는 미세 공정

□ 7LPP (7나노 Low Power Plus) :



EUV 장비를 적용한 최초 로직 공정. ASML과의 협력하여 기존 미세공정의 한계를 극복

□ 6LPP (6나노 Low Power Plus) :



7나노 공정을 기반으로 삼성전자의 독자적인 ‘스마트 스케일링

솔루션’을 적용해 7나노 대비 집적도 향상과 초 저전력 특성 구현

□ 5LPP (5나노 Low Power Plus) :

핀펫(FinFET) 구조로 구현할 수 있는 마지막 단계의 미세공정

□ 4LPP (4나노 Low Power Plus) :

차세대 트랜지스터 구조인 MBCFETTM을 적용한 공정

※ MBCFETTM (Multi Bridge Channel FET)은 FinFET 구조의 크기 축소와 성능 향상의 한계를 극복한 GAAFET(Gate All Around FET) 기술의 삼성전자 독자 브랜드

□ 18나노 FD-SOI (Fully Depleted-Silicon on Insulator) : 현재 양산되고 있는 28나노 FD-SOI 공정에 eMRAM과 RF(Radio Frequency) 기능을 통합하는 플랫폼을 소개하며 성능과 저전력 특성을 향상시킨 차세대 18나노 FD-SOI까지 공개

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