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삼성전자의 반도체 기술을 중국 업체에 넘긴 혐의를 받는 삼성전자 전직 부장 등이 핵심 기술을 노트에 적어 반출하거나 공정 자료가 적힌 모니터 화면을 촬영하는 방식으로 기술을 빼돌린 것으로 드러났습니다.
검찰 공소장에 따르면 삼성전자 전 부장 김 모 씨는 지난 2016년 중국 허페이시에 있는 D램 제조사에 입사한 뒤 17~18나노 D램 개발을 위한 'H 프로젝트, 일명 허페이 프로젝트'를 계획했습니다.
이후 김 씨는 2016년 9월, 성명불상의 삼성전자 직원이 무단으로 노트에 옮겨 적고 노트를 찢어 반출한 18나노 D램 공정 정보를 사진파일 형태로 건네받아 공정 정보를 취득했습니다.
김 씨는 또 2018년 11월, 성명불상의 삼성전자 직원이 무단으로 모니터 화면을 사진 촬영한 18나노 D램 GBC 모듈 상세공정 정보를 취득한 것으로도 조사됐습니다.
해당 정보들은 모두 국가핵심기술이자 삼성전자의 영업비밀에 해당합니다.
김 씨는 이러한 정보들을 활용해 삼성전자에서 중국 업체로 이직한 기술자 등과 함께 '8대 공정별 정리', 'HighK조건' 등 엑셀 파일을 작성해 중국업체 서버에 올린 것으로 파악됐습니다.
김 씨와 함께 재판에 넘겨진 삼성전자 협력업체 전 직원 방 모씨 역시 지난 2022년 반도체 핵심기술인 증착장비 도면 등을 출력해 자동차에 트렁크에 실어 무단 반출한 것으로 조사됐습니다.
김 씨와 방 씨는 지난 3일 구속 상태로 재판에 넘겨졌습니다.
검찰은 김 씨 등에게 반도체 기술을 무단 유출한 성명불상의 삼성전자 직원 등 가담자들에 대한 수사를 이어갈 방침입니다.
한성희 기자 chef@sbs.co.kr
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