차세대 반도체 핵심 '고효율 스핀전류 생성 소재' 개발
박병국 KAIST 교수 |
[아시아경제 김철현 기자] 과학기술정보통신부(장관 최기영, 이하 과기정통부)와 한국연구재단(이사장 노정혜, 이하 연구재단)은 이달의 과학기술인상 10월 수상자로 박병국 한국과학기술원(KAIST) 신소재공학과 교수를 선정했다고 9일 밝혔다. 이달의 과학기술인상은 우수한 연구개발 성과로 과학기술 발전에 공헌한 연구개발자를 매월 1명씩 선정해 과기정통부 장관상과 상금 1000만원을 수여하는 시상이다.
과기정통부는 박 교수가 차세대 자성메모리(MRAM) 구동의 핵심인 '스핀전류'를 효율적으로 생성하고, 스핀분극을 자유롭게 제어하는 소재를 개발한 공로가 높이 평가됐다고 선정 배경을 설명했다. 박 교수는 기존 연구자들이 스핀 전류 생성을 위해 스핀궤도결합이 강한 백금, 텅스텐과 같은 중금속 재료를 사용한 것과 달리 스핀궤도결합이 비교적 작다고 알려진 값싼 강자성과 전이금속의 이중층 구조에서 해답을 찾았다.
박 교수는 "스핀 전류를 효율적으로 생성하고 스핀 방향을 임의로 제어할 수 있는 소재 기술은 차세대 비휘발성 자성메모리 동작 기술로 활용 가능하며 연산과 기억을 동시에 수행하는 미래 컴퓨팅 핵심소자로 응용할 수 있다"라며 "앞으로도 미래 반도체 기술을 선도할 스핀기반 신소재 개발에 주력하겠다"고 했다.
김철현 기자 kch@asiae.co.kr
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