삼성전자 "2020년 4나노공정 개발"… 파운드리 로드맵 공개

'삼성 파운드리 포럼' 개최…미세공정 개발계획 밝혀

김기남 삼성전자 반도체총괄 사장이 24일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 '삼성 파운드리 포럼(Samsung Foundry Forum)'에서 삼성전자의 최신 파운드리 공정기술과 솔루션을 발표하고 있다. (삼성전자 제공) © News1

(서울=뉴스1) 이헌일 기자 = 삼성전자가 2020년까지 4나노 공정 개발을 완료한다는 계획을 내놨다.

삼성전자는 24일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 '삼성 파운드리 포럼(Samsung Foundry Forum)'에서 이같은 내용을 담은 로드맵을 공개했다. 이번 포럼은 삼성전자가 지난 12일 DS부문 조직개편을 통해 '파운드리 사업부' 출범을 공식 선언한 이후 처음 열린 행사여서 큰 관심을 받았다. 이날 행사에는 파운드리 고객사와 파트너사의 관계자 약 400명이 참석했다.

삼성전자는 이번 포럼에서 8나노공정에서 4나노공정에 걸친 첨단 미세공정 로드맵과 18나노 FD-SOI(Fully Depleted-Silicon on Insulator) 솔루션 등 최첨단 파운드리 공정의 개발계획을 발표했다. 또한 이런 혁신적인 공정기술이 산업 트렌드 변화에 최적의 솔루션이 될 수 있다는 점을 강조했다.

삼성전자는 올해 안에 8LPP(8나노 Low Power Plus) 공정의 개발을 완료하고 내년에는 EUV(극자외선 노광장비)를 적용한 7LPP 공정의 개발을 마치겠다고 밝혔다. 이어 2019년에는 5LPP와 6LPP, 2020년에는 4LPP 공정의 개발을 완료한다는 계획이다. 이와 함께 2020년까지 18나노 FD-SOI (Fully Depleted-Silicon on Insulator) 공정도 개발한다는 목표를 제시했다.

8LPP (8나노 Low Power Plus)는 EUV 장비 도입 전 현 노광장비로 구현할 수 있는 가장 경쟁력 있는 미세공정이다. 7LPP는 EUV 장비를 적용한 최초 로직 공정으로 세계적 반도차장비회사인 ASML과의 협력, 기존 미세공정의 한계를 극복한다는 계획이다.

6LPP는 7나노 공정을 기반으로 삼성전자의 독자적인 ‘스마트 스케일링 솔루션’을 적용, 7나노 대비 집적도 향상과 초저전력 특성 구현할 수 있는 공정이다. 5LPP는 핀펫(FinFET) 구조로 구현할 수 있는 마지막 단계의 미세공정이다.

마지막으로 4LPP는 차세대 트랜지스터 구조인 MBCFETTM을 적용한 공정이다. MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET)은 핀펫 구조의 크기 축소와 성능 향상의 한계를 극복한 GAAFET(Gate All Around FET) 기술의 삼성전자 독자 브랜드다.

윤종식 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 "모든 기기가 연결되는 '초연결시대'에서 반도체의 역할도 커지고 있다"며 "삼성전자는 광범위한 첨단 공정 로드맵을 보유하고 있는 파운드리 파트너로서 고객들과 적극적인 협력관계 구축을 통해 최적의 맞춤형 솔루션을 제공할 것"이라고 밝혔다. IoT(사물인터넷) 시대에는 수많은 양의 데이터를 생성·처리·연결 하는 기술이 요구되고 이를 위해 실리콘 반도체 기술의 혁신을 통한 칩의 성능 향상과 저전력 솔루션이 필수적이라는 설명이다.

한편 삼성전자는 파운드리 고객 및 사업 파트너들과 기술의 방향을 공유하며 협력관계를 강화하기 위해 지난해부터 한국과 미국, 중국에서 파운드리 포럼을 개최했다. 올해에도 이번 미국 포럼을 시작으로 국내 및 해외에서 포럼을 진행할 예정이다.

삼성전자는 최근 임원인사 및 조직개편을 실시하며 파운드리 사업부를 시스템LSI 사업부에서 독립했다. 사내에서 파운드리 최고 전문가로 꼽히는 정은승 부사장을 대표로 선임했다. 파운드리 사업의 전문성을 강화해 경쟁력을 높이겠다는 목적이다.
honey@

[© 뉴스1코리아(news1.kr), 무단 전재 및 재배포 금지]