이전 세대와 비교해 이번에 새롭게 개발된 6세대 SJ MOSFET 제품의 스위칭 속도는 23% 정도 개선되어 애플리케이션의 단위 면적당 온저항을 약 40% 낮추고 성능 지수(FOM: Figure of Merit)는 40% 높였다.
또한, 게이트와 소스 사이에 제너 다이오드를 내장하여 SJ MOSFET이 정전기 방전(ESD: Electrostatic discharge)에 의해 손상되는 것을 방지하여 신뢰성을 높였다. 그리고, 칩 크기도 이전 세대보다 30%가량 줄었다.
25 New Gen6 SJ MOSFETs 이미지. 사진=매그나칩반도체 |
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이번 신제품 시리즈는 600V, 650V 및 700V의 전압대로 구성되어 있으며, 고객 수요가 높은 DPAK과 TO220F를 포함한 TO220, TO220FT(좁은 리드 프레임 부착: narrow lead frame), SOT223, PDFN88, D2PAK 등 총 7가지 패키지로 제공된다.
김영준 매그나칩 부회장은 “매그나칩의 최신 기술이 집약된 6세대 SJ MOSFET 25종 신제품의 성공적인 출시로 고객의 변화하는 기술적 요구사항을 충족하는 제품 라인업을 확대했다”라며, “우리는 순수 전력 반도체 기업으로 전환하면서 AI, 산업용 애플리케이션 및 스마트 홈 기기에 적용되는 전력 반도체를 공급하여 고객사의 성장과 성공에 기여하고 우리의 기술 역량과 시장 리더쉽을 더욱 강화할 것”이라고 말했다.
25 New Gen6 SJ MOSFETs 이미지. 사진=매그나칩반도체 |
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서희원 기자 shw@etnews.com
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