SK하이닉스, ‘16단 HBM3E’ 개발 첫 공식화···“내년 고객사에 샘플 제공”

SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장이 4일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘SK AI 서밋 2024’에서 기조연설을 진행하고 있다.SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 5세대 고대역폭메모리(HBM) ‘HBM3E’의 16단 제품 출시를 업계 최초로 공식화했다.

곽노정 SK하이닉스 사장은 4일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘SK 인공지능(AI) 서밋’ 기조연설에서 “5세대 HBM인 HBM3E 16단 제품을 내년 초 (고객사에) 샘플을 제공할 예정”이라고 밝혔다.

곽 사장은 “차세대 제품인 (6세대)HBM4부터 16단 제품 시장이 본격적으로 열리는 것에 대비해 기술 안정성을 확보하고자 48기가바이트(GB) 16단 HBM3E를 개발 중”이라며 이같이 말했다. 곽 사장은 “현재 세계 최초로 개발, 양산하고 있는 ‘월드 퍼스트’ 제품을 다양하게 준비 중”이라고 덧붙였다.

HBM은 D램을 여러 장 쌓아 만든 고성능 메모리다. 미국 엔비디아의 AI 연산 가속기 칩에 탑재돼 빠른 속도로 방대한 양의 데이터를 처리하는 보조 역할을 한다. ‘8단·12단·16단’ 등의 숫자는 D램을 몇 장 쌓아올렸는지를 의미한다.

엔비디아를 비롯한 AI 가속기 제조 기업들은 처리해야 할 데이터가 많아짐에 따라 더 높은 단수의 HBM을 요구하고 있다. 같은 세대의 제품이어도 단수가 높아질수록 제품의 성능이 올라간다. 엔비디아는 주력 AI 칩 제품인 ‘호퍼’ ‘블랙웰’ 등에 HBM3E를 두루 사용하고 있다.

곽 사장은 16단 HBM3E 제품과 관련해 “내부 분석 결과 12단 제품 대비 학습 분야에서 18%, 추론 분야에서는 32% 성능이 향상됐다”고 설명했다. 16단 HBM3E 생산 공정으로는 12단 제품에서 양산 경쟁력이 입증된 ‘어드밴스드 MR-MUF 공정’이 활용될 계획이다. D램을 쌓기 위해서는 고난도 패키징 기술이 필요하다. MR-MUF는 대표적인 패키징 기술이다. 반도체 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정을 뜻한다.

곽 사장은 차세대 제품 출시 계획도 밝혔다. 그는 “AI의 단계적 발전에 따라 메모리에 요구되는 스펙도 다양해진다”며 “저전력 고성능을 특징으로 하는 탈부착할 수 있는 LPCAMM(저전력 압축 부착 메모리 모듈)2 모델을 향후 모바일, PC, 데이터센터까지 공급할 계획”이라고 말했다.

김상범 기자 ksb1231@kyunghyang.com

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