"삼성전자 핵심기술 中 유출 당시 수석연구원이 보안시스템 뚫어"

[국감브리핑] D랩 반도체 PRP, MTS, NAND 플래시 PRP 등 방대

한국인 엔지니어 200여명 근무

삼성전자/ 뉴스1 ⓒ News1

(인천=뉴스1) 정진욱 기자 = 삼성전자 반도체 핵심기술을 중국에 빼돌린 사건과 관련, 문제가 된 중국 현지공장에는 삼성 출신 등 한국인 엔지니어가 무려 200여명이 근무하고 있었던 것으로 확인됐다. 아울러 중국 사업장으로 이직을 결심한 삼성 수석연구원은 회사의 보안시스템을 뚫고 9개월동안 방대한 분량의 기술자료를 빼돌렸던 사실도 드러났다.

8일 허종식 더불어민주당 의원(산자중기위‧인천 동구미추홀구갑)이 입수한 이번 사건 공소장에 따르면, 삼성전자 수석연구원 A 씨가 반도체 핵심기술을 집중적으로 빼낸 시점은 2015년~2016년인 것으로 나타났다.

2016년 6월15일에 퇴사(퇴직 처리 9월15일)한 A 씨는 그해 8월 삼성전자와 하이닉스반도체 임원을 지낸 회사 선배 B 씨를 대만에서 만나 이직을 제안받았다.

A 씨는 10월부터 B씨가 싱가포르에 설립한 회사에 들어가 D램 개발에 필요한 기술 연구‧개발 업무를 총괄하는 PA팀장으로 근무하기 시작했다.

B 씨가 해외에서 사업을 시작한 지 1년 만에 A 씨가 합류했고, 2019년 중국 북경 공장에 이어 2020년엔 중국 지방정부의 투자(약 4600억원)을 받아 설립한 반도체회사에 함께 근무했던 것이다.

삼성전자에서 18나노 및 20나노 D램 반도체 공정설계(PA) 업무를 담당하고 있던 A 씨는 2016년 3월 헤드헌터를 통해 이직 관련 이메일을 주고받았고, 6월11일엔 B 씨가 세운 회사와 관련된 헤드헌터에게 이력서를 보낸 것으로 나타났다.

A 씨가 삼성전자의 핵심기술을 빼낸 시기는 2015년 9월부터 2016년 6월까지였다. 9개월 동안 D램 반도체 PRP, MTS, NAND 플래시 PRP 등 빼돌린 규모가 방대했던 것으로 파악됐다. 최고 수준인 것으로 알려진 삼성의 보안시스템이 이 기간 동안 A 씨에게 무력화됐던 것이다.

B 씨는 사업을 확장하는 과정에서 삼성전자 출신 핵심 엔지니어들을 줄줄이 영입했고, 지난해에만 한국인 엔지니어가 200여명이 근무했다는 사실도 공소장에 적시됐다.

B 씨는 직원들에게 삼성전자의 자료를 확보‧활용해 반도체 개발기간을 단축할 것을 지시했고, 삼성의 기술 정보를 활용할 경우 포상하기도 했다.

허종식 의원은 "핵심기술 유출은 기업 피해와 국가 경쟁력을 위협하는 동시에 산업발전에도 악영향을 끼치게 된다"며 "기술 유출에 대해 엄정한 대응이 필요하고, 반도체를 비롯해 바이오, 디스플레이, 전기차 등 인력의 해외 유출에 대한 대책도 마련해야 한다"고 했다.

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