삼성전자, 업계 최초 ‘1Tb QLC 9세대 V낸드’ 양산

9세대 V낸드 QLC, TLC 모두 업계 최초 출시

'채널 홀 에칭' 기술로 더블 스택 구조의 최고 단수 구현

모바일 UFS, PC·서버SSD 등 응용처 확대

삼성전자 QLC 9세대 V낸드 제품. 사진ㅣ삼성전자

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자가 AI시대 초고용량 서버SSD를 위한 '1Tb(테라비트) QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'를 업계 최초로 양산했다고 12일 밝혔습니다.

삼성전자는 지난 4월 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 이번 QLC 제품까치 최초 양산에 성공했습니다.

삼성 9세대 V낸드는 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술인 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 활용해 더블 스택(Double Stack) 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈습니다.

특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀(Cell)과 페리(Peripheral)의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 약 86% 증가한 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density)를 가졌습니다.

삼성전자는 V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 더욱 중요해져 이를 위해 '디자인드 몰드(Designed Mold)' 기술을 활용했다고 설명했습니다.

'디자인드 몰드'란 셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 WL(Word Line)의 간격을 조절하여 적층하는 기술로 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 높여 제품 신뢰성을 향상시켰습니다.

이번 9세대 QLC는 셀의 상태 변화를 예측하여 불필요한 동작을 최소화하는 '예측 프로그램(Predictive Program) 기술' 혁신을 통해 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했습니다.

또한, 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(Bit Line)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 '저전력 설계 기술'을 통해 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소했습니다.

삼성전자는 브랜드 제품을 시작으로 향후 모바일 UFS, PC 및 서버SSD 등 QLC 9세대 V낸드 기반 제품 응용처를 점차 확대할 계획이라고 밝혔습니다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 "9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다"며 "최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것"이라고 말했습니다.

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