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▲ SK하이닉스 1c DDR5 D램
SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 오늘(29일) 밝혔습니다.
SK하이닉스는 "10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 업계 최고 성능이 입증된 5세대 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파해냈다"고 말했습니다.
SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 본격 공급할 계획입니다.
SK하이닉스는 5세대 D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 6세대 D램을 개발했다고 설명했습니다.
고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌습니다.
전력효율은 9% 이상 개선됐습니다.
AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데 SK하이닉스 측은 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 기대하고 있습니다.
SK하이닉스는 향후 7세대 고대역폭 메모리인 HBM4E 등에 1c 기술을 적용한다는 계획입니다.
김종환 SK하이닉스 D램 개발담당 부사장은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라며 "앞으로도 D램 시장 리더십을 지키면서 AI 메모리 설루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했습니다.
(사진=SK하이닉스 제공, 연합뉴스)
정성진 기자 captain@sbs.co.kr
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