[반차장보고서] 美보조금 9조원 확보한 삼성전자…하이-NA EUV 도입한 '인텔'

[소부장반차장] 4월 셋째주 반도체·부품 소식 한눈에 살펴보기

반도체⋅부품 관련 정책 동향과 현장의 목소리를 전달하기 위해 한 주 동안 열심히 달린 <소부장반차장>이 지난 이슈의 의미를 되새기고자 차주의 새로운 동향을 연결해 보고자 주간 보고서를 올립니다. <반차장보고서>를 통해 한 주를 정리해보시길 바랍니다. <편집자주>

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삼성전자, 美보조금 9조원 확보…30년까지 62조원 추가 투자

삼성전자가 미국 정부로부터 9조원 수준의 보조금을 받는다. 액수는 인텔, TSMC 보다 적지만, 투자 규모를 따지면, 파격적 대우라는 평가다.

미국 정부가 15일(현지 시간) 미국에 대규모 반도체 생산시설을 투자하는 삼성전자에 반도체법에 의거해 보조금 64억달러(약 8조9000억원)를 지원하기로 결정했다고 발표했다.

지나 러몬도 미 상무부 장관은 전날 브리핑에서 삼성전자의 텍사스 첨단 반도체 공장 투자를 위해 반도체법에 의거, 64억 달러의 보조금을 제공할 예정이라고 밝혔다.

삼성전자는 이에 맞춰 현재 미국 텍사스주 테일러시에 170억달러(약 23조5000억원)를 투자해 건설 중인 반도체 공장의 규모와 투자 대상을 확대해 오는 2030년까지 총 약 450억달러(약 62조3000억원)를 투자할 계획이다. 이는 기존 투자 규모의 두 배가 넘는 것이다.

삼성전자는 지난 2022년부터 텍사스주 테일러시에 건설 중인 반도체 생산 공장에 추가로 새 반도체 공장을 건설하고, 패키징 시설과 함께 첨단 연구개발(R&D) 시설을 신축해 본격적인 미국 시장 공략에 나설 방침이다.

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인텔, 하이-NA EUV 내년 '인텔14A'부터 투입…TSMC·삼성전자 '신속추격' [소부장반차장]

인텔이 반도체 파운드리 업계 최초로 하이-NA EUV(고개구율 극자외선 노광장비)를 도입, 올해말 완전 가동을 목표로 내년부터 차세대 '인텔14A' 공정을 위한 개발에 본격적으로 나선다 밝혔다. 인텔14A 상용화는 2027년을 내다보고 있다. 하이-NA EUV 장비는 1나노미터(nm) 공정 경쟁의 핵심으로 부상함에 따라 인텔이 2030년까지 삼성전자 등을 제치고 파운드리 기업 2위 자리에 오르는데 결정적인 역할을 해줄 것으로 예상된다.

하이-NA EUV는 말 그대로 개구율을 높여 초고해상도 패턴을 구현할 수 있는 장비를 말한다. 1나노미터의 미세 공정에 쓰일 수 있어 공정의 복잡성을 감소시킬 수 있는 대안으로 여긴다. 다만 장비 가격이 비싸고 그에 따른 기술 난이도가 높은 것으로 알려졌다. 즉, 회절 한계를 높이고 수율을 안정화시킬 수 있는 연구개발이 필요하다. 따라서 장비를 도입했다고 하더라도 즉각적으로 생산이 가능한 것은 아니다.

인텔은 지난해말 미국 오레곤 주 힐스보로 D1X 팹에 ASML로부터 '트윈스캔 EXE:5000' 노광장비를 들여왔다. 이 장비를 위해 인텔은 다양한 인프라를 구축 중인 상황이다. 이 곳은 인텔이 캘리포니아 지역을 벗어나 1976년 세운 첫 파운드리로 그간 차세대 공정 기술을 연구한 지역이기도 하다. 하이-NA 장비는 대당 약 4천억달러에 육박하며, ASML로부터 인계받은 첫번째 파운드리가 바로 인텔이다.

인텔은 이 장비를 통해 '인텔14A' 공정을 실현하기 위한 연구개발에 내년부터 본격적으로 운영된다. 지난 15일 글로벌 대상으로 진행된 사전 브리핑에 나선 마크 필립스 인텔 펠로우는 "인텔은 올해말부터 완전히 가동돼 실행될 것으로 기대하고 있으며, 첫번째 사용은 오는 2025년 시작될 인텔14A 프로세스 기술 개발이 될 것"이라며, "인텔14A 노드가 출시될 정확한 날짜는 제공하기 어려우나 정상적인 풀 노드 타이밍이 될 것으로 예상된다"고 설명했다.

이같은 인텔의 행보는 앞서 삼성전자가 하이-NA EUV 도입을 2027년 고려하고 있다는 시점보다 약 2년 가량 앞선다. TSMC를 쫓는 삼성전자 입장에서는 인텔의 신속한 추격을 뿌리쳐야 하는 상황이다.

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엔비디아도 韓 OSAT 찾는데…생태계 지원 방안은 '뒷전'

미중 반도체 무역 갈등이 국내 패키징 생태계에 새로운 기회 요소로 떠올랐다. 대형 시장인 중국으로의 판로는 줄게 됐으나 인공지능(AI) 등 고부가 중심인 미국 시장 진입 계기가 형성되는 덕이다. 반면 국내 반도체 산업을 향한 정책적 지원이 미비해, 높아지는 패키징 중요성 대비 관심도가 떨어진다는 지적이 늘고 있다.

15일 반도체 업계에 따르면, 엔비디아는 최근 AI용 GPU 칩과 함께 탑재할 전력관리반도체(PMIC) 패키징을 국내 후공정 패키징·테스트 전문 기업(OSAT) 한 곳에 맡긴 것으로 확인됐다. 엔비디아 협력사인 미국 PMIC 팹리스가 국내 OSAT에 패키징 물량을 맡기고, 이를 엔비디아가 공급 받는 방식으로다. 국내에 있는 OSAT는 네패스, 하나마이크론, SFA반도체 등이 있다.

미국 주요 기업이 국내 반도체 후공정 기업을 찾는 이유는 높아지는 AI칩 수요 덕분이다. AI서버·데이터센터 급증에 따라 칩 수요가 공급을 초과하는 현상이 발생했고, 이에 따른 생산 확대·원가 절감 니즈가 확대되면서 공급 협력사를 다각화하는 추세가 이어진 것이다.

후공정 업계에서는 미중 갈등에 따른 공급망 변화로 국내 기업에게 새로운 기회가 열렸다고 보고 있다. 기존 매출 의존도가 높았던 중국 거래선의 진입장벽은 높아졌지만, AI 등 첨단·고부가 제품이 많은 미국으로의 거래가 늘며 새로운 성장동력을 확보할 수 있다는 의미에서다.

문제는 이들 기업의 규모다. 미비한 국내 시스템반도체 생태계 탓에 중소·중견 기업이 대부분이고 그마저도 메모리 패키징과 성숙 공정 장비에 국한돼 있다. 반도체 집적회로 미세화 한계로 첨단 패키징이 대안으로 떠오른 상황이지만, 정작 이 역할을 보조하고 수행하는 생태계 조성이 여전히 미진한 셈이다.

관련 생태계 육성을 위한 정책적 지원도 미비하다는 지적이 나온다. 부족한 인프라와 만성적인 인력 문제로 공동 연구개발(R&D) 환경이 마련되지 않은 데다, 투자할 여력이 없는 중소·중견 생태계를 지원할 법안이 없다는 의견이다.

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'슈퍼을' ASML도 기대이하…커져버린 반도체 '지정학 리스크'

미⋅중 무역 전쟁, 중동 정세불안정 등 지정학 리스크가 고조되며 반도체 '슈퍼을' 네덜란드 장비업체 ASML도 1분기 기대이하의 성적표를 받았다. 다만 최근 지정학 리스크 소강 상태가 지속되며, 하반기에는 업황이 다시 회복할 것으로 전망된다.

19일 반도체 업계에 따르면, ASML는 1분기 매출은 작년 4분기보다 27% 감소한 52억9천만 유로(약 7조8천억원)를 기록했다. 같은 기간 순이익도 20억5천만 유로(약 3조원)에서 12억2천만 유로(약 1조8천억원)로 약 40% 급감했다.

1분기 신규 예약액은 36억1천만 유로(약 5조3천억원)로, 시장에서 예상한 46억 유로(약 6조 7천억원)에 한참 못 미쳤다. 올해 가이던스도 지난해와 동일한 수준으로 제시하면서 성장 부재에 대한 우려 나왔다.

이 같이 ASML의 실적이 부진한 것엔 주요 고객인 TSMC와 삼성전자향 매출 부진 영향이 크다. TSMC, 삼성전자향 매출이 줄어든 것은 지정학적 리스크가 크게 작용했기 때문인데, 중동 정세 불안정 등으로 인한 에너지 가격 급등, 공급망 차질 우려가 투자 위축을 야기했다. 이외에 미국 연준의 공격적인 금리 인상, 글로벌 경제 침체 우려도 또 하나의 원인으로 지목된다.

주목되는 점은 ASML이 반도체 제조에 필수적인 EUV 노광장비 시장에서 독점적인 지위를 차지하고 있는 기업이라는 것이다. 실제로 ASML은 전 세계 EUV 노광장비 시장 점유율의 90% 이상을 차지, 반도체 공급망에서 매우 중요한 위치에 있다. ASML의 실적 변동은 반도체 산업 전체에 큰 영향을 미칠 수 있을 정도로 주요한 사안으로 지목된다.

ASML은 현재 침체는 일시적이라고 평가했다. 베링트 CEO는 "올해 반도체 업황 개선 전체 전망은 변함이 없다"라며 "하반기는 상반기보다 더 강할 것으로 보인다. 올해는 과도기"라고 설명했다.

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삼성전자, 업계 최고 속도 LPDDR5X D램 개발 성공…온디바이스 AI 최적화

삼성전자가 업계 최고 동작속도 10.7Gbps LPDDDR5X D램 개발에 성공했다고 17일 발표했다.

삼성전자가 개발한 LPDDR5X D램은 12나노급 LPDDR D램 중 가장 작은 칩으로 구현한 저전력·고성능 메모리 솔루션이다. 온디바이스 AI에 최적화됐다. 이전 세대 대비 성능 25%, 용량 30% 이상 각각 향상됐고 모바일 D램 단일 패키지로 최대 32GB를 지원한다.

회사는 이번 제품에 저전력 특성을 강화하기 위해 성능과 속도에 따라 전력을 조절하는 '전력 가변 최적화 기술'과 '저전력 동작 구간 확대 기술'등을 적용해 전 세대 제품보다 소비전력을 약 25% 개선했다. 이를 통해 모바일 기기에서는 더 긴 배터리 사용 시간을 제공하고 서버에서는 데이터를 처리하는 데 소요되는 에너지를 감소시킬 수 있다. 총 소유 비용(TCO) 절감이 가능하다는 의미다.

삼성전자는 신제품 LPDDR5X D램을 애플리케이션 프로세서∙모바일 업체와의 협업으로 제품 검증 후 하반기 양산할 예정이다. 이를 통해 모바일 분야를 비롯 ▲AI PC ▲AI 가속기 ▲서버 ▲전장 등 다양한 응용처에 확대 적용될 것으로 기대했다.

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TSMC, 1분기 순이익 9조5천억원…시장 기대치 상회

대만 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 TSMC가 1분기에 시장 예상을 뛰어넘는 실적을 달성했다.

TSMC는 18일 올해 1분기 실적을 발표하고 연결 매출 5926억4000만 대만달러(25조2050억원), 순이익 2254억9000만 대만달러(9조5788억원)를 기록했다고 발표했다. 매출과 순이익은 전년 동기 대비 각각 16.5%, 8.9% 늘어났지만, 전 분기 대비로는 5.3%, 5.5% 줄었다.

순수익의 경우 시장 예상치 2149억1000만 대만달러(약 9조1336억원)를 뛰어넘은 수치다.

주당순이익은 8.70 대만달러로 전년 동기(7.98 대만 달러) 보다는 8.9% 증가했으나 전분기(9.21 대만 달러) 대비로는 5.5% 감소했다.

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