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3일 업계에 따르면 마이크론은 지난 26일(현지시간) HBM3E 양산을 공식화했다. 이번 제품은 10b나노미터(㎚)급 D램이 8단으로 적층된 24GB 용량의 제품이다. 생산될 제품은 엔비디아 H200에 탑재된다. 이와 함께 12단 제품을 3월 중 개발하겠다는 목표도 세웠다.
업계에서는 이번 발표에 반신반의하는 분위기다. 마이크론이 HBM 시장의 주도권을 잡겠다는 의지를 드러냈지만, 기술 경쟁력과 양산 경험 면에서 불리할 수 있다는 의미다.
반면 크게 벌어졌던 기술 격차를 단기간에 따라잡고 있는 점에서 삼성전자·SK하이닉스에게 위협이라는 평가도 있다. 마이크론은 2010년 초 HBM 초기 개발 당시, 높은 기술적 난제로 인해 사실상 개발을 중단하고 고성능 제품인 그래픽DDR(GDDR) 제품에 몰두한 바 있다. 이로 인해 벌어졌던 격차를 불과 수년만에 좁힌 셈이다.
이번 양산이 엔비디아로 향하는 제품이란 점도 주목할만하다. 엔비디아는 생성형 AI 시장 열풍이 불어닥친 후 AI 서버용 반도체 시장에서 80% 이상에 달하는 점유율을 확보하고 있다. 엔비디아 AI GPU에 탑재된 메모리는 SK하이닉스의 HBM3가 사실상 독점하는 형태로 채용됐는데, 마이크론이 진입하면서 SK하이닉스의 단일 공급 체제가 깨지게 된 것이다.
반도체 업계는 올해부터 HBM 시장 판도가 정해질 것으로 보고 있다. 지난해에는 엔비디아와 전략적 협력 관계를 구축한 SK하이닉스가 승기를 들었지만, 올해부터는 더 많은 HBM 물량 확보를 위해 엔비디아의 공급 협력사 다각화가 예상되고 있어서다. 마이크론의 발표 역시 이같은 취지에서 나온 것으로 풀이된다.
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이러한 의지를 반영하듯, 삼성전자는 27일 36GB HBM3E 12단 D램 개발했다고 밝히기도 했다. 마이크론이 HBM3E 8단 제품을 양산하겠다고 언급한지 하루만이다. 이 제품은 첨단 열압착 비전도성 접착 필름(TC-NCF)이 적용돼 8단 제품과 동일한 높이를 구현한다. 삼성전자는 HBM3E 12단 샘플을 고객사에 제공했으며 상반기 양산에 돌입할 예정이다.
HBM3에서 우위를 점했던 SK하이닉스는 지난달 HBM3E 8단 제품의 초기 양산을 시작했다. 가까운 시일 내 고객 인증을 완료해 본격 양산을 시작할 계획이다. 아울러 연내 12단 제품 개발을 완료할 계획도 세웠다.
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