시스템반도체 대규모 투자
파운드리 세계 톱 TSMC 맹추격
이달 착공, 내년 하반기 가동
 |
[아시아경제 김혜원 기자] 삼성전자가 극자외선(EUV) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기 기흥·화성에 이어 평택에 파운드리(반도체 위탁생산) 시설을 만든다. 시스템반도체 분야에서 2030년까지 세계 1위에 오른다는 목표인 '반도체 비전 2030' 전략의 일환이다. 삼성전자는 평택과 기흥·화성의 파운드리 라인을 기반으로 세계 1위 업체인 대만 TSMC에 대한 추격을 가속화한다.
삼성전자는 21일 5나노 이하 제품을 주력으로 하는 평택 EUV 파운드리 라인을 구축하기로 하고 이달 공사에 착수했다고 밝혔다. 가동 예정일은 2021년 하반기다. 삼성전자는 구체적인 투자 규모를 제시하지 않았으나 업계에서는 평택 공장 P2 라인에 들어설 EUV 파운드리 생산 설비에 10조원 안팎이 투입될 것으로 보고 있다.
이번 국내 시스템반도체 분야 신규 투자와 관련해 이재용 삼성전자 부회장은 경영진에게 "어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다"고 재차 강조한 것으로 전해졌다.
이로써 삼성전자는 지난 2월 EUV 전용 화성 V1 라인 가동을 시작한 데 이어 평택까지 파운드리 외연을 확장해 모바일, 고성능컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI) 등 다양한 분야로 초미세 공정 기술 적용 범위를 늘려나간다는 목표다. 삼성전자는 지난해 4월 반도체 비전 2030을 발표한 후 시스템반도체 분야에서 글로벌 1위를 달성하기 위해 단계별로 세부 전략을 실행하고 있다.
삼성전자는 지난해 4월 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 7나노 제품 양산에 돌입한 이후 올해 초 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속적으로 확대해왔다. 여기에 2021년 평택 라인에서 양산을 시작하면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산량은 가파르게 증가할 전망이다. 삼성전자는 또 올해 하반기부터 화성에서 5나노 제품을 먼저 양산한 뒤 향후 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산한다는 방침이다.
정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 "5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것"이라며 "전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것"이라고 강조했다.
김혜원 기자 kimhye@asiae.co.kr
<ⓒ경제를 보는 눈, 세계를 보는 창 아시아경제(www.asiae.co.kr) 무단전재 배포금지>
이 기사의 카테고리는 언론사의 분류를 따릅니다.
언론사는 한 기사를 두 개 이상의 카테고리로 분류할 수 있습니다.
