SK하이닉스, 3세대 10나노급 DDR4 D램 개발 성공

SK하이닉스가 개발한 3세대 10나노급(1z) DDR4 D램. SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 D램 개발에 성공했다. 지난 3월 삼성전자가 세계 최초로 개발에 성공한 데 이어 미국 마이크론이 8월 개발 성공 소식을 알렸고, SK하이닉스는 세계에서 세 번째로 1z 공정을 적용하는 기업이 됐다.

SK하이닉스는 3세대 1z 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) 용량의 DDR4 D램을 개발해 내년부터 본격 양산에 돌입한다고 21일 밝혔다.

DDR은 국제반도체표준협의기구가 규정한 D램 표준 규격으로 데이터 처리 속도가 빠를수록 숫자가 늘어나 DDR2, DDR3 등으로 구분된다. 이번 제품은 DDR4 규격에 3세대 10나노미터(㎚ㆍ1나노미터=10억분의 1m)급 미세공정을 적용한 제품이다. 10㎚급 공정이란 반도체 회로의 선폭을 10㎚대로 새길 수 있다는 뜻이며, 세대가 높을수록 폭이 더 좁아지기 때문에 칩의 크기는 작아지고 웨이퍼(반도체 기판) 1장으로 만들어낼 수 있는 칩이 많아져 생산성이 높아지게 된다.

SK하이닉스에 따르면 이번 D램은 기존 2세대 공정 때보다 생산성이 약 27% 향상됐으며, 데이터 처리 속도는 DDR4 규격이 정한 최고 속도인 3,200메가비피에스(Mbps)까지 지원한다. 작은 크기로 높은 용량의 데이터를 처리하니 전력 소비도 줄일 수 있다. 통상 사무용 PC 한 대에 들어가는 8기가바이트(GB) 모듈을 8Gb D램으로 구성하려면 총 8개를 합쳐야 하지만 16Gb D램은 4개만 있어도 같은 용량을 구현할 수 있고 전력 소비는 40% 줄어든다는 게 SK하이닉스의 설명이다.

이정훈 SK하이닉스 D램개발사업 1z 태스크포스(TF)장은 “SK하이닉스의 3세대 1z DDR4 D램은 고성능ㆍ고용량 D램을 찾는 고개들에게 적합한 제품”이라며 “연내 양산 준비를 마치고 내년부터 본격적으로 공급해 시장 수요에 대응할 것”이라고 밝혔다.

맹하경 기자 hkm07@hankookilbo.com