“셀당 4비트” 인텔과 마이크론, QLC NAND로 1테라비트 집적도 구현

인텔과 마이크론은 업계 최초로 QLC(Quad-Level Cell) NAND 다이를 공급할 것이라고 발표했다. 앞으로 SSD가 용량은 더 커지고 가격은 더 저렴해질 것으로 보인다.

QLC 기술은 NAND 셀의 셀 하나 당 4비트를 저장하는데, 현재 많이 사용하는 TLC(Triple-Level Cell) NAND보다 저장 공간이 ⅓ 늘어난다. QLC는 가장 집적도가 높은 플래시로, 인텔과 마이크론은 NAND 플래시 다이 하나에 1테라비트의 정보를 저장할 수 있다고 밝혔다.

SSD 용량은 서서히 증가해 왔다. 최초의 SSD인 SLC(Single-Level Cell)는 셀 하나에 1비트를 저장했고, 뒤를 이은 MLC(Multi-Level Cell)는 셀 하나에 2비트, 그리고 TLC는 3비트를 저장한다. QLC를 통해 인텔과 마이크론은 또 한 단계의 진전을 이뤄낸 것이다.

마이크론의 기술 개발 담당 최고 부사장 스콧 디보어는 “64계층 4비트/셀 NAND 기술을 도입함으로써 우리는 TLC와 비교해 33% 더 높은 집적도를 달성했으며, 반도체 사상 처음으로 1테라비트 다이를 상용화할 수 있게 됐다”라고 강조했다. 또 “우리는 96계층 구조로 플래시 기술의 진화를 계속해 나갈 것이며, 더 적은 공간에 더 많은 데이터를 축적해 워크로드 역량과 애플리케이션 구축의 가능성을 개척할 것이다”라고 덧붙였다.

공동 개발사인 인텔 역시 새 기술의 파급효과를 강조했는데, 인텔 비휘발성 메모리 기술 개발 담당 부사장 RV 기리드하는 “1테라비트 4비트/셀 기술의 상용화는 NVM 역사에서 큰 이정표이며, 기술과 설계에서 우리의 플로팅 게이트(Floating Gate) 3D NAND 기술의 역량을 더욱 확장하는 수많은 혁신을 가능하게 할 것”이라고 말했다. 또 “셀당 4비트로의 변화는 데이터센터와 클라이언트 스토리지의 집적도와 비용 측면에서 새로운 동작점을 가능하게 할 것”이라고 덧붙였다.

QLC의 혁신 외에도 인텔과 마이크론의 임원은 계층을 50% 더 높일 수 있는 3세대 3D NAND도 발표했다. 이 기술은 CuA(CMOS under the Array) 기술을 사용해 다이 크기를 줄이고 성능을 높였다. 새로운 QLC용 웨이퍼는 인텔의 Fab 68은 물론 마이크론의 싱가포르 공장에서 생산한다.

두 업체 모두 신형 다이를 공급한 고객이나 실제 제품을 구매할 수 있는 시기, 가격에 대해서는 밝히지 않았다. 하지만 TLC NAND가 통상 보급형 스토리지 영역을 대상으로 하고 있기 때문에 신형 QLC 제품이 출시되면 SSD 가격은 다시 한 번 극적인 변화를 겪을 것으로 보인다.

한편, 마이크론은 첫 QLC 기반 SSD 제품을 데이터센터용으로 발표했는데, 마이크론 5210 ION은 표준 2.5인치 SATA 드라이브로 출시된다. 용량은 1.92TB~7.68TB이다. editor@itworld.co.kr

Gordon Mah Ung editor@itworld.co.kr
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