삼성, 4나노 공정 2020년 개발…반도체 미세공정 로드맵 발표(종합)

(서울=연합뉴스) 김연숙 기자 = 삼성전자는 24일(현지시간) 미국 산타클라라에서 '삼성 파운드리 포럼'을 열고 반도체 미세공정 로드맵과 신규 솔루션을 발표했다.

이번 포럼은 삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부를 출범한 후 처음 열린 행사다.

기존의 삼성전자 파운드리 사업은 시스템LSI사업부 안에 팀으로 유지돼왔지만 지난 12일 조직개편으로 별도 사업부로 승격됐다.

삼성전자는 포럼에서 반도체 미세공정을 4나노미터(㎚·10억분의 1ｍ)까지 낮추겠다는 계획과 FD-SOI(Fully Depleted-Silicon on Insulator) 솔루션 등 최첨단 파운드리 공정을 발표했다.

삼성전자는 현재의 노광장비로 구현할 수 있는 가장 경쟁력 있는 미세공정인 8나노 LPP(Low Power Plus) 공정개발을 올해 안에 완료할 계획이다.

극자외선 노광장비(EUV)를 적용한 7나노, 6나노, 4나노 공정개발 시점은 각각 2018년, 2019년, 2020년이 목표다.

삼성전자는 이와 함께 사물인터넷(IoT)에 적합한 28나노 FD-SOI 기술을 확대하고, 'M램'(Magnetic Random Access Memory)을 적용한 차세대 18나노 FD-SOI 기술도 선보이겠다고 밝혔다.

신규 솔루션인 18나노 FD-SOI는 현재 양산되고 있는 28나노 FD-SOI 공정에 저전력 특성을 향상한 차세대 솔루션이다.

삼성전자는 차세대 메모리인 M램을 내장하고 무선주파수(RF) 기능을 통합한 플랫폼을 완성할 계획이다.

18나노, 28나노 FD-SOI에 M램을 적용한 제품은 각각 2018년, 2020년에 상용화된다.

M램은 자성체 소자를 이용한 비휘발성 메모리로, 플래시 메모리에 비해 쓰기 속도가 약 1천배 빠르다.

IoT 시대에는 수많은 양의 데이터를 생성, 처리, 연결하는 기술이 요구된다. 이를 위해 실리콘 반도체 기술의 혁신을 통한 칩 성능 향상과 저전력 솔루션이 필수라고 삼성전자는 설명했다.

윤종식 삼성전자 파운드리 사업부 부사장은 "모든 기기가 연결되는 '초연결 시대'에는 반도체의 역할도 커지고 있다"며 "삼성전자는 광범위한 첨단 공정 로드맵을 보유한 파운드리 파트너로서 고객에게 최적의 맞춤형 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다.

삼성전자는 파운드리 고객, 사업 파트너들과 기술 방향을 공유하며 협력을 강화하고자 작년부터 한국, 미국, 중국에서 파운드리 포럼을 열고 있다.

이날 행사에는 고객사와 파트너사 관계자 약 400여명이 참석했다.

[표: 신규 발표공정 도입 시기]

 ┌──────────┬─────────┐ │도입 공정           │공정개발 완료 시점│ ├──────────┼─────────┤ │8LPP                │2017년            │ ├──────────┼─────────┤ │7LPP (EUV)          │2018년            │ ├──────────┼─────────┤ │5LPP, 6LPP (EUV)    │2019년            │ ├──────────┼─────────┤ │4LPP (EUV)          │2020년            │ ├──────────┼─────────┤ │18FDS+RF/eMRAM      │2020년            │ └──────────┴─────────┘ 

삼성전자 반도체총괄 김기남 사장이 미국 산타클라라에서 열린 '삼성 파운드리 포럼(Samsung Foundry Forum)'에서 삼성전자의 최신 파운드리 공정 기술과 솔루션을 발표하고 있다. [삼성전자 제공=연합뉴스]

삼성전자는 24일(현지시간) 미국 산타클라라에서 '삼성 파운드리 포럼(Samsung Foundry Forum)'을 개최했다. 행사장 전경사진. [삼성전자 제공=연합뉴스]

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