"3년내 4나노 공정 개발" 삼성전자, 美 파운드리 포럼 개최

[파운드리 사업부 출범 후 첫 공식행사…김기남 사장 등 경영진 총출동해 미세공정 로드맵 및 최첨단 공정 발표]

삼성전자 반도체총괄 김기남 사장이 미국 산타클라라에서 열린 '삼성 파운드리 포럼(Samsung Foundry Forum)'에서 삼성전자의 최신 파운드리 공정 기술과 솔루션을 발표하고 있다./사진제공=삼성전자

최근 파운드리 사업을 본격 추진중인 삼성전자가 고객사 확보에 적극적으로 나서고 있다. 미국에서 포럼을 열어 최소 4나노미터(nm·10억분의 1m)에 이르는 초미세공정 로드맵을 발표하는 한편 다양한 혁신공법을 소개했다.

삼성전자는 지난 24일(현지시간) 미국 산타클라라에서 '삼성 파운드리 포럼(Samsung Foundry Forum)'을 열었다고 25일 밝혔다. 이번 포럼은 지난 12일 삼성전자 DS(디바이스솔루션·부품) 부문 조직개편에서 '파운드리 사업부' 출범을 공식 선언한 후 열린 첫 행사다. 김기남 삼성전자 반도체총괄 사장은 물론 정은승 파운드리 사업부장(부사장) 등 고위 경영진이 총출동했다.

파운드리란 공장이 없는 '팹리스(Fabless)업체로부터 주문을 받아 반도체 위탁생산을 해주는 사업으로 다수 고객사 확보가 관건이다.

삼성전자는 이번 포럼에서 고객사와 파트너사 관계자 약 400명이 참석한 가운데 8나노에서 4나노까지 이르는 광범위한 첨단 미세공정 로드맵을 제시하는 한편 FD-SOI(Fully Depleted-Silicon on Insulator) 솔루션 등 최첨단 파운드리 공정을 발표했다. FD-SOI란 웨이퍼 위에 산화막을 형성해 소자에서 발생하는 누설 전류를 크게 줄여주는 기술을 뜻한다.

특히 삼성전자의 신규 최첨단 미세공정(8/7/6/5/4나노급)과 18나노 FD-SOI 등 혁신적 공정 기술이 이러한 산업 트렌드 변화에 최적의 솔루션이 될 것이라는 설명이다.

삼성전자는 올해 8LPP(8나노 Low Power Plus) 공정개발을 완료하고 2020년에는 4LPP 공정개발까지 마무리 짓는다는 계획이다.

업계에 따르면 8LPP는 EUV(극자외선 노광장비)를 도입하기 전 현재의 노광장비로 구현할 수 있는 가장 경쟁력 있는 미세공정으로 꼽힌다. 아울러 4LPP는 차세대 트랜지스터 구조이자 삼성전자 독자브랜드인 MBCFET(Multi Bridge Channel FET)을 적용한 초미세공정이다.

18나노 FD-SOI는 현재 양산되고 있는 28나노 FD-SOI 공정에 eMRAM(Embeded Magnetic Random Access Memory)과 RF(Radio

Frequency·무선주파수) 기능을 통합하는 플랫폼을 소개해 성능과 저전력 특성을 향상시킨 차세대 공정이다. eMRAM이란 SoC(시스템온칩)에 내장된 형태의 자성체 소자를 이용한 비휘발성 메모리로 플래시 메모리 대비 쓰기 속도가 약 1000배 빠르다.

삼성전자 관계자는 "IoT(사물인터넷) 시대에는 수많은 양의 데이터를 생성·처리·연결하는 기술이 요구되고 이를 위해 실리콘 반도체 기술의 혁신을 통한 칩의 성능 향상과 저전력 솔루션이 필수적"이라며 "이번 포럼에서 공개한 혁신 기술이 산업 트렌드 변화에 최적의 솔루션이 될 것"이라고 말했다.

윤종식 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 "삼성전자는 광범위한 첨단 공정 로드맵을 보유하고 있는 파운드리 파트너로서 고객들과 적극적 협력관계 구축을 통해 최적의 맞춤형 솔루션을 제공할 것"이라고 강조했다.

김성은 기자 gttsw@mt.co.kr

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