아이에이 자회사 트리노테크놀로지, 100억원 규모 RCPS·BW 발행

"설비 증설해 전력반도체 개발 확대할 것"

[파이낸셜뉴스] 전장용 반도체 및 모듈 전문기업 아이에이의 자회사 트리노테크놀로지가 100억원 규모의 외부 투자를 유치하고 전력반도체 개발을 확대한다고 10일 밝혔다.

트리노테크놀로지는 이날 국내 기관투자가들을 대상으로 총 100억원 규모의 사모 상환전환우선주(RCPS) 및 신주인수권부사채(BW)를 발행했다고 밝혔다. 투자기관은 수성자산운용, 송현인베스트먼트, 브릿지폴인베스트먼트다.

트리노테크놀로지는 이 자금을 차세대 전력 반도체 연구개발 및 생산능력 증개를 위한 설비 증설에 사용할 예정으로, 특히 실리콘 카바이드(SiC) 산화막 반도체 전기장 효과 트랜지스터(MOSFET) 개발에 집중 투자한단 계획이다. 회사는 최근 반도체 품귀현상이 지속되는 시장 상황에 적극 대응하기 위함이라고 설명했다.

회사는 특히 이번 발행이 일종의 상장 전 지분투자(pre-IPO) 유치이기도 하다고 덧붙였다. 트리노테크놀로지는 현재 코스닥 상장을 위한 준비를 진행 중이다.

트리노테크놀로지 관계자는 "전력반도체 시장의 성장성과 트리노테크놀로지가 가진 기술 경쟁력을 높이 평가받아 국내 유수의 기관투자가들로부터 자금 유치에 성공했다"며 "차량용 전력반도체 상용화, 신제품 개발 등의 성과를 달성해 향후 매출 및 이익을 더욱 성장시킬 것"이라고 말했다.

이어 "전력반도체에 대한 수요가 급증하는 상황 속에 제품에 대한 품질, 가격경쟁력을 검증받아 중국 및 국내 고객사로부터 수주 물량이 크게 늘어나고 있다"며 "기술, 실적 측면에서 좋은 결과를 내는 동시에 진행 중인 코스닥 상장 준비도 차질 없이 추진해 나가겠다"고 덧붙였다.

한편 트리노테크놀로지는 2008년 설립된 전력반도체 전문기업이다.

트리노테크놀로지는 2008년 설립된 전력반도체 전문기업이다. MOSFET, 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT), 다이오드(DIODE) 등 전력반도체 소자를 주력으로 개발, 생산한다. 또 기존 실리콘(Si) 기반의 전력반도체 대비 에너지 손실을 최대 90% 절감할 수 있는 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 국산화 기술을 보유하고 있다.

jo@fnnews.com 조윤진 기자

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