‘고효율 스핀전류 생성 소재’ 개발 성공
2019년 10월 과학기술인상 수상자인 박병국 카이스트 교수 |
【서울=뉴시스】이진영 기자 = 과학기술정보통신부와 한국연구재단은 이달의 과학기술인상 10월 수상자로 박병국 카이스트 신소재공학과 교수를 선정했다고 9일 밝혔다.
양 기관은 박병국 교수가 차세대 자성메모리(MRAM) 구동의 핵심인 스핀전류를 효율적으로 생성하고, 스핀분극을 자유롭게 제어하는 소재를 개발한 공로가 높이 평가해 선정했다고 설명했다.
4차 산업혁명 시대 우리나라는 반도체 강국의 지위를 유지하기 위해 차세대 소자 기술 확보가 필요한 상황이다. 이런 가운데 박 교수가 스핀트로닉스 기술을 바탕으로 저전력, 초고속, 고집적 반도체 소자 개발의 초석을 다졌다고 과기부는 강조했다.
박 교수는 "스핀 전류를 효율적으로 생성하고 스핀 방향을 임의로 제어할 수 있는 소재 기술은 차세대 비휘발성 자성메모리 동작 기술로 활용 가능하며, 연산과 기억을 동시에 수행하는 미래 컴퓨팅 핵심소자로 응용할 수 있다"라며 "앞으로도 미래 반도체 기술을 선도할 스핀기반 신소재 개발에 주력하겠다"라고 말했다.
mint@newsis.com
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