삼성전자, 상반기 시설투자 22.5조…작년 전체 육박

평택공장 평면 낸드→V낸드 전환, 파운드리 10나노 신규라인 증설

삼성전자 사옥 전경 [연합뉴스 자료사진]

(서울=연합뉴스) 이승관 기자 = 삼성전자[005930]는 지난 2분기에 총 12조7천억원을 시설투자에 집행했다고 27일 밝혔다.

부문별로는 반도체 사업에 7조5천억원, 디스플레이 부문에 4조5천억원이 각각 투자됐으며, 나머지 부분에 7천억원이 투입됐다. 이로써 상반기 시설투자 누적액은 22조5천억원에 달했다.

이는 지난해 전체 시설투자 규모인 25조5천억원에 육박하는 것으로, 반도체와 디스플레이 사업의 차세대 공정에 집중적인 투자가 이뤄진 것으로 분석된다.

실제로 반도체 부문에서는 메모리 사업에서 최근 V낸드플래시 수요 증가 대응을 위해 평택 단지의 생산량을 확대한 것과 동시에 평면 낸드플래시 공정을 V낸드 공정으로 전환하는 투자가 이뤄지고 있다.

이와 관련, 업계에서는 공정 전환에도 불구하고 삼성전자의 메모리 공급 전망은 변화가 없을 것으로 예상했다.

시스템 LSI 사업부문에서는 D램을 생산하는 화성 11라인 일부를 이미지센서 생산라인으로 전환하는 투자가 이뤄지고 있으며, 파운드리는 10나노 신규 라인 증설이 진행 중이라고 회사측은 설명했다.

이밖에 디스플레이 사업에서는 플렉서블 유기발광다이오드(OLED) 패널 수요 증가에 대응하기 위한 생산량 확대에 투자가 계속되는 것으로 알려졌다.

회사 관계자는 "올해 전체 시설투자 계획은 아직 확정되지 않았으나 반도체와 디스플레이 부문을 중심으로 지난해 대비 투자가 대폭 증가할 것으로 예상된다"고 밝혔다.

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