파워큐브세미, 국내 최초 2300V SiC MOSFET 개발

파워큐브세미가 국내 최초로 개발한 2300V 탄화규소(SiC) 모스펫(MOSFET) 전력 반도체

파워큐브세미는 국내 최초로 2300V 탄화규소(SiC) 모스펫(MOSFET) 개발에 성공, 내년 초 양산한다고 26일 밝혔다.

SiC는 기존 실리콘(Si) 기반 반도체 대비 견딜 수 있는 전압이 높은 차세대 소자다.

2300V SiC 모스펫은 파워큐브세미가 국내 최초 개발했다. 기존 1700V SiC MOSFET 개발 및 양산 경험을 이어갔다.

2300V SiC 모스펫은 송배전과 같이 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적합하다. 파워큐브세미는 한국전력과 송배전용 인버터에 공급을 협의하고 있다.

파워큐브세미는 SiC, Si, 산화갈륨(Ga2O3) 전력반도체를 설계하는 팹리스 기업이다. 최근 중국 전기자동차 기업에 대용량 슈퍼정션(SJ) 모스펫을 판매하기도 했다.

강태영 파워큐브세미 대표는 “단순한 개발 사례로 끝나지 않고 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적용·판매할 수 있도록 만전을 기하겠다”고 말했다.

박진형 기자 jin@etnews.com

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