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05.19 (일)

어플라이드, 국제 메모리 워크숍서 HBM 등 미래 메모리 논문 발표

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전자신문

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어플라이드머티어리얼즈가 12일부터 15일까지 서울 그랜드 워커힐 호텔에서 열리는 '국제 메모리 워크숍(IEEE IMW) 2024'에서 최신 메모리 공정 기술을 발표한다.

IMW 2024는 IEEE 전자소자협회가 주최하는 세계적 권위 메모리 학회다. 올해 16회를 맞이했으며 한국에서 두 번째로 개최된다.

어플라이드는 △게이트올어라운드(GAA) S램 △3D 낸드 차량에서 고속 성장률 에피택셜 성장 실리콘(Si) 채널 시연 △자가 정류 비휘발성 터널링 시냅스 : 멀티스케일 모델 증강 개발 △고대역폭메모리(HBM)를 위한 차세대 하이브리드 본딩 과제 등 재료 기술 혁신을 담은 논문 4건을 발표한다. '메모리 애플리케이션을 위한 첨단 채널 재료' 주제로 패널 토론에도 참여한다.

권동준 기자 djkwon@etnews.com

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