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SK하이닉스, 미래기술硏 출신 전진배치

헤럴드경제 김현일
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SK하이닉스, 미래기술硏 출신 전진배치

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美 9월 PCE 물가지수 전년대비 2.8%↑…시장 예상 부합
미래기술연구원 인재 약진
82년생 여성·엔지니어 발탁
차선용 원장도 사장 승진


SK하이닉스가 이번 2026년 정기 임원인사에서 지난해 33명보다 많은 37명의 신규 임원을 배출했다. 창사 이래 역대 최대 실적을 달성한 가운데 미래 리더 육성에 한층 더 힘을 실었다.

임원 승진자의 70%는 사업·기술 분야에서 발탁해 인공지능(AI) 시대에 갈수록 격화하는 반도체 신기술 싸움에서 연구개발(R&D) 경쟁력 확보에 주력하겠다는 의지를 재차 강조했다. 특히 SK하이닉스의 차세대 기술 연구개발을 담당하는 미래기술연구원 인사들의 약진이 눈에 띈다. 앞서 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장이 지난 10월 사장단 인사를 통해 부사장에서 사장으로 승진하며 포문을 열었다.

차 사장은 D램 개발 담당 임원을 지내면서 미세공정의 기틀을 마련하고, 더블데이터레이트(DDR)부터 저전력 D램(LPDDR)과 고대역폭메모리(HBM)에 이르기까지 D램 경쟁력 확보에 기여한 것으로 평가받는다.

2022년부터 미래기술연구원장을 맡아 D램과 낸드의 기술적 한계 돌파를 위한 혁신을 주도하고 있다. 특히 SK하이닉스의 HBM 시장 지배력 유지를 위해 차세대 기술 연구개발로 뒷받침하고 있다.

미래기술연구원은 보다 장기적인 관점에서 미래 반도체 시장을 혁신할 신기술 개발에 중점을 둔 연구 조직이다. 당장 상용화를 목표로 하는 기술보다는 긴 시간이 요구되는 기술에 방점을 찍고 중장기적 로드맵을 그리고 있다.

이번 신규 임원 승진자 중 최연소이자 여성인 손윤익 팀장(1982년생)도 미래기술연구원 소속으로 차세대 AI 반도체 기술 개발에 매진해왔다. 데이터 처리 속도를 높이고 전력 소모는 줄여주는 하이케이메탈게이트(HKMG) 공정을 D램에 성공적으로 적용하며 SK하이닉스의 메모리 경쟁력을 뒷받침했다.


또한, 데이터 입출력을 담당하는 ‘페리’(셀의 동작을 관장하는 주변부 회로) 성능을 끌어올려 HBM 리더십 구축에도 기여했다는 평가를 받는다.

김태한 미래기술연구원 팀장도 이번 신규 임원 승진자에 이름을 올렸다. 업계 최초로 10나노 6세대(1c) D램 개발 및 양산에 성공하며 반도체 미세공정 기술의 혁신을 이끈 점을 인정받았다. 극자외선(EUV) 노광 기술로 회로를 더욱 미세하게 구현해 생산성과 수율을 높였다는 평가를 받는다.

회로를 더 정밀하게 그릴수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능을 개선할 수 있어 업계는 반도체 미세화 경쟁에 몰두해왔다. SK하이닉스는 지난 9월 메모리 업계 최초로 초미세화 공정의 필수 장비인 네덜란드 ASML의 양산용 ‘하이 NA EUV’를 이천 M16 공장에 반입하고 차세대 메모리 개발에 속도를 올리고 있다.


한편, SK하이닉스는 김영식 사장의 SK에코플랜트 사장 선임으로 공석이었던 양산총괄(CPO) 자리에 이병기 부사장을 앉혔다. 양산총괄은 메모리 전(前)공정과 후(後)공정의 양산을 총괄하며 공정 간 시너지를 극대화하고, 용인 반도체 클러스터를 포함한 국내외 공장의 생산기술 고도화를 통합적으로 관리한다.

SK하이닉스는 제조·기술 분야 핵심 리더인 이병기 부사장을 선임해 글로벌 생산체계 혁신에 주력할 예정이다. 김현일 기자