삼성 P4 재개·SK하이닉스 용인까지…반도체 투자 볕들까 [소부장반차장]

[디지털데일리 고성현 기자] 국내 양대 반도체 기업인 삼성전자와 SK하이닉스의 전망이 밝아지면서 침체됐던 국내 투자가 활기를 띠고 있다. 특히 지연된 삼성전자 평택캠퍼스 4라인(P4)에 대한 투자가 본격화된 가운데 SK하이닉스의 용인 반도체 클러스터 내 팹 투자 등이 올해 하반기부터 활발해질 수 있다는 전망이 나온다.

2일 업계에 따르면 삼성전자는 평택캠퍼스 4라인(P4) 내 페이즈2에 대한 공사 재개에 돌입했다. 공사는 초기 단계 수준으로, 기존에 논의됐던 D램+파운드리 복합동 형태로 구성될 예정이다. 이와 함께 멈춰 있던 페이즈4에 대한 공사도 논의됐으나, 이르면 연말 혹은 내년 초 중 본격적으로 시작될 전망이다.

P4는 삼성전자가 평택에 건설 중인 네 번째 대형 반도체 공장이다. 이 공장은 총 4개 페이즈로 구성됐으며 메모리 복합동인 페이즈1, 3에 대한 공사가 마무리된 상태다. 페이즈2와 4는 당초 파운드리 전용 라인으로 설계됐지만, 잇따른 대형 수주 실패와 업황 둔화로 수차례 지연된 끝에 메모리·파운드리 복합 공간으로 꾸려지면서 공사 재개 논의가 시작된 바 있다.

특히 P4는 이전 팹과 달리 D램에 대한 생산능력이 대폭 확대될 예정이다. 삼성전자는 AI 인프라 시장 확대로 인한 높은 고대역폭메모리(HBM) 수요에도 공정 이슈로 관련 대응에 늦어진 바 있다. 그러다 올해 들어 브로드컴·AMD 등 굵직한 고객사를 확보한 상태다. 이에 따라 P4 증설로 1a(4세대 10나노급, HBM3E 탑재) 혹은 1c(5세대 10나노급, HBM4 탑재) 수준의 D램 생산 능력을 확보하려는 것으로 풀이된다.

더뎠던 반도체 위탁생산시설(파운드리)향 투자 속도 역시 빨라지는 추세다. 현재 삼성전자는 미국 텍사스주 테일러시에 짓고 있는 첫번째 팹에 대한 공사를 진행 중이며, 이르면 내년 초쯤 두번째 팹에 대한 공사 시점을 논의할 계획을 세웠다.

삼성전자는 당초 지난해 첫번째 팹을 완공하고 연내 두번째 팹에 대한 공사 논의를 시작할 예정이었으나, 현지 공사 업체들의 늑장 대응 및 대형 수주 부재에 따른 차질이 발생하면서 속도가 크게 느려진 바 있다. 그러다 올해 초 삼성물산 외 삼성엔지니어링 등 같은 그룹 계열사들이 공사의 키를 쥐게 되면서 속도가 높아진 상황이다. 첫번째 팹에 대한 공사는 이르면 올해 연말쯤 마무리 될 것으로 전망되고 있다.

한 업계 관계자는 "삼성전자는 테일러 팹을 통해 주력인 4나노미터(㎚) 공정 외 3나노까지 영역을 확대할 계획이었으나 이에 대한 대형 수주에 실패하고, 공사 업체의 대응이 문제가 되면서 팹 건설에 어려움을 겪었다"며 "그러다 테슬라가 2나노 공정에 대한 고객사로 들어오게 되면서 관련 계획에 속도가 붙은 것으로 본다"고 전했다.

한편 HBM 선두주자인 SK하이닉스도 투자를 순조롭게 이어가고 있다.

청주 M15X를 통해 증설키로 했던 1b(5세대 10나노급) D램 생산능력을 확대하기 위한 팹 건설이 한창이다. 1b D램은 현재 SK하이닉스의 주력 제품인 HBM3E에 탑재중이다. 특히 올해 출시될 HBM4 역시 1b D램 기반 양산이 확정된 만큼 신규 HBM 대응에 집중하고 있다.

아울러 SK하이닉스는 용인에 반도체 클러스터에 대한 투자 계획도 기존대로 진행하고 있다. 현재 SK하이닉스는 클러스터 내 팹 공사를 위해 국내 협력사들과 설비 발주를 논의 중이며, 이르면 올해 연말 중 관련 발주를 내고 팹 및 클린룸 등 공장 기반 공사에 돌입할 것으로 전망된다.

또 다른 반도체 업계 관계자는 "삼성전자의 투자 연기로 미뤄졌던 국내 투자가 평택, 용인 팹 건설 논의 시작에 따라 다시 활기가 도는 중"이라며 "HBM 등은 이미 삼성전자, SK하이닉스 등이 고객사 수요를 확보 중이고 삼성 파운드리 역시 테슬라 등을 시작으로 발판을 넓힐 계기를 만든 만큼, 변수가 없다면 당분간 지속 투자 기조가 이어질 것으로 본다"고 말했다.

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