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(서울=뉴스1) 박세연 기자 = 서울 서초구 삼성전자 서초사옥에 삼성 깃발이 바람에 펄럭이고 있다. 2025.4.8/뉴스1 Copyright (C) 뉴스1. All rights reserved. 무단 전재 및 재배포, AI학습 이용 금지. /사진=(서울=뉴스1) 박세연 기자 |
삼성전자가 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 D램을 개발했다. 하반기 6세대 HBM(고대역폭메모리)인 HBM4를 양산한다는 계획에 한 걸음 더 가까워진 것으로 보인다.
30일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 1c D램 개발에 성공해 PRA(Production Readiness Approval)를 마쳤다. PRA는 내부 기준을 충족한 것으로 양산 직전 단계를 의미한다.
10나노급 D램 공정 기술은 1x(1세대)→1y(2세대)→1z(3세대)→1a(4세대)→1b(5세대)→1c(6세대) 순으로 개발되고 있다. 삼성전자는 2022년 12월 5세대(1b) D램을 개발하고 이듬해 5월 양산을 발표했으며, 이후 약 2년이 지나 이번에 6세대 개발에 성공한 것이다.
삼성전자의 1c D램 개발이 유독 주목받는 것은 HBM 사업 때문이다. 삼성전자는 1c D램을 사용한 HBM4를 개발 중이며 하반기 양산이 목표다. 이보다 한 세대 이전인 1b D램을 사용해 HBM4를 만드는 SK하이닉스에 앞서 나가기 위한 전략으로 풀이된다. SK하이닉스는 지난 3월 HBM4 샘플을 고객사에 제공했으며 하반기 양산이 목표다.
삼성전자가 1c D램 개발을 완료한 만큼 하반기 중 HBM4 샘플 제공과 엔비디아 퀄(품질) 테스트 통과가 가능할지 관심이다. 삼성전자는 5세대 HBM인 HBM3E의 엔비디아 퀄 테스트 통과도 기다리고 있다.
유선일 기자 jjsy83@mt.co.kr
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