절치부심 전영현…D램에 사활 걸어
세계 최대 규모의 반도체 공장인 삼성전자 평택캠퍼스 전경 |
삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)를 포함한 D램 경쟁력 강화를 위해 파운드리 사업부 인력을 메모리 사업부로 전환 배치했다. 단순한 인사 이동을 넘어 수율 개선과 기술 격차 해소를 위한 전사적 자원 재배치에 나선 것으로 해석된다.
1일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 달 두 차례에 걸쳐 파운드리 사업부 소속 인력 일부를 메모리 사업부로 전환했다. 규모는 세 자릿수로 추정되며, 생산 및 운영 실무 인력 중심으로 전환 배치된 것으로 전해졌다. 이동은 사내 구인 시스템인 ‘잡포스팅’을 통해 이뤄졌다.
이번 인력 전환은 HBM 시장 경쟁에서 SK하이닉스에 밀린 상황을 타개하기 위한 조치로 풀이된다. HBM의 핵심 기반이 되는 D램 수율과 생산 완성도를 끌어올려 내년 HBM4 출시에 맞춰 기술 리더십을 회복하려는 의도다. D램은 인공지능(AI) 반도체 흐름에서 삼성전자가 사활을 걸어야 할 부분이기도 하다.
삼성전자는 현재 HBM3E(5세대)에서 경쟁사에 후발주자로 평가받는다. 현재 HBM4(6세대) 개발에 집중하며 내년 분위기 전환을 노리고 있다. 이를 위해 D램 완성도를 높이고 수율을 끌어올려야 한다. 관건은 10㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m)급 6세대(1c) 미세공정이다. 이는 SK하이닉스가 먼저 이뤄낸 것으로 삼성전자가 앞으로 확보해야 할 기술이다.
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삼성전자 HBM3E '샤인볼트' |
삼성전자가 10㎚급 6세대에 이어 10㎚급 7세대(1d) D램 개발을 추진 중이다. 생산 현장의 전문 인력을 재배치한 이번 조치는 HBM용 D램 수율 안정화와 공정 완성도 제고를 위한 직접적인 대응 전략이다.
삼성전자는 메모리 부문 역량 재편과 더불어 AI 반도체 대응을 위한 고성능 메모리 투자에도 속도를 내는 상황이다. 특히 내년 HBM4 양산 시점을 기술 반격의 분기점으로 설정, 기술·조직·인력 재정비에 집중하고 있다. 전영현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(부회장)을 필두로 내부 조직을 개편하는 등 전사적인 노력을 기울여 왔다. 전 부회장은 올해 3월 주주총회에서 “기술 리더십 부족에 따른 주가 부진 문제를 보이지 않기 위해 내부 역량을 지속 강화할 것”이라고 밝혔다. 업계에서는 이번 인력 재배치를 그 일환으로 보고 있다.
이민희 BNK투자증권 연구원은 “삼성전자는 재설계한 10나노급 5세대(1b)와 10나노급 6세대(1c) 수율 개선 등 제조 경쟁력을 회복 중”이라며 반도체 구조조정이 이뤄지고 있다고 분석했다.
[이투데이/이수진 기자 (abc123@etoday.co.kr)]
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