‘1조6000억원 투자’ 삼성전자 반도체 기술 중국으로 빼돌린 前 연구원 구속 기소

서울중앙지검. /조선일보DB

검찰이 삼성전자의 핵심 반도체 기술 등을 중국으로 유출한 혐의를 받는 전직 삼성전자 연구원을 2일 구속 상태로 재판에 넘겼다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장 안동건)는 이날 전직 삼성전자 연구원 전모(55)씨를 산업기술보호법 위반(국가 핵심기술 국외 유출) 등 혐의로 구속 기소했다.

전씨는 삼성전자에서 중국 CXMT(창신메모리테크놀로지)로 이직한 뒤 삼성전자가 약 1조6000억원을 들여 개발한 D램 공정 국가 핵심기술을 부정하게 취득해 사용한 혐의를 받는다.

검찰 조사에 따르면 전씨는 삼성전자 부장 출신 김모씨와 함께 CXMT로 이직하는 과정에서 삼성전자 D램 공정 기술을 빼돌리고 핵심 인력을 영입하는 방법의 CXMT 내 D램 반도체 개발 계획을 세운 것으로 나타났다.

이들은 위장회사를 통한 입사를 추진하고, 출국금지 또는 체포되었을 시 단체대화방에 암호로 “♡♡♡♡(하트 네 개)”를 남기도록 협의하는 등 수사에 대비하며 이같은 범행에 이른 것으로 파악됐다.

일러스트=김성규

CXMT는 중국 지방정부가 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체 회사로 검찰은 전씨 등이 당시 신생 업체였던 CXMT로 옮기면서 이러한 범행을 저지른 것으로 의심하고 있다. 전씨는 CXMT로부터 계약 인센티브 3억원, 스톡옵션 3억원 등을 포함해 6년간 29억원을 받은 것으로 조사됐다.

전씨와 함께 범행한 김씨는 지난해 1월 구속 기소돼 지난 2월 1심에서 징역 7년과 벌금 2억원을 선고받았다. 현재 서울고법에서 항소심이 진행 중이다. 검찰은 김씨 사건에 대한 추가 수사 과정에서 전씨의 이러한 혐의를 포착했다고 전했다.

또 검찰은 삼성전자 내부 자료를 유출한 공범을 인터폴(국제형사경찰기구)를 통해 계속 추적 중이라고 밝혔다.

검찰은 “이 사건 유출로 인한 삼성전자의 지난해 추정 매출감소액만 수조원에 달하고 향후 최소 수십조원의 손해가 발생할 것으로 예상된다”며 “기업과 국가 경제를 위협하는 기술 유출 범죄에 엄정하게 대응하겠다”고 했다.

[박강현 기자]

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