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SK하이닉스 중국 우시 공장 전경. (사진=SK하이닉스) |
SK하이닉스가 D램 생산의 핵심 거점인 중국 우시 공장(팹)을 업그레이드했다. 미국의 대중 반도체 제재 속에서 공정 전환을 마쳐 생산 기반을 확충한 것으로 평가된다.
14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 우시 팹 공정을 기존 1z에서 1a로 전환한 것으로 파악됐다. 우시 D램 생산능력은 12인치 웨이퍼 투입량 기준 월 18만~19만장으로, 이 중 약 90%가 1a 공정으로 채워졌다. 회사는 2024년 1월 실적 설명회에서 우시 팹 공정 전환 계획을 밝혔는데, 2년 만에 완료된 셈이다.
D램은 미세화에 따라 세대를 나눈다. 1z는 10나노미터(㎚)대 D램 중 3세대, 1a는 4세대다. 세대가 높을수록 성능이 우수하다. SK하이닉스는 우시에서 전보다 성능이 향상된 D램을 만들 수 있게 됐다.
우시 팹 공정 전환이 주목되는 건 SK하이닉스의 핵심 생산 기지이기 때문이다. 회사 전체 D램 생산량의 30~40%를 우시 팹이 담당하고 있다.
미국의 대중 반도체 장비 규제로 공정을 전환하지 못했을 경우 생산은 물론 사업에 차질을 빚을 가능성이 높았는데, 우려를 해소한 것으로 보인다.
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SK하이닉스 모바일 기기용 D램 LPDDR5X. (사진=SK하이닉스) |
1a D램은 극자외선(EUV) 공정을 필요로 한다. 그런데 EUV 장비는 미국의 수출 규제로 중국 내 반입이 금지됐다.
SK하이닉스는 대안으로 미세회로 구현에 필요한 EUV 공정은 한국에서 진행하고, 나머지 작업은 우시에서 마무리하는 방식을 도입했다.
공정 복잡성과 물류비 부담에도 불구하고 우시 팹을 1a 공정으로 전환한 건 우시 팹이 갖는 중요성이 높기 때문으로 해석된다. 중국뿐만 아니라 글로벌 시장 수요에 경쟁력 있게 대응할 수 있는 핵심 기반이다.
송현종 SK하이닉스 사장은 지난해 2분기 실적 설명회에서 “중국 공장은 SK하이닉스뿐만 아니라 글로벌 메모리 반도체 수급에서도 매우 중요한 생산 시설”이라며 “지속 운영을 위해 미국 규제 상황을 면밀하게 모니터링하고 각국 정부와 긴밀히 소통하겠다”고 말했다.
2006년 첫 가동을 시작한 이후 SK하이닉스가 우시 팹에 투자한 금액은 수십조원에 달한다.
한편 SK하이닉스는 국내 D램 팹의 경우 6세대에 해당하는 1c 공정 전환을 가속할 전망이다. 이천 M14와 M16 팹을 중심으로 1c 업그레이드 투자를 단행할 예정이다. 중국에서는 범용 제품, 한국에서는 최첨단 D램을 생산하는 구조다.
이호길 기자 eagles@etnews.com
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