檢 ‘유출 기술’ 부정사용해 중국서 D램 개발한 前 삼성전자 임직원 구속 기소

검찰이 불법 유출된 삼성전자 기술을 부정사용해 중국에서 D램 생산을 주도한 전직 삼성전자 임원 등 3명을 구속 기소했다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장 김윤용)는 불법 유출된 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가핵심기술을 중국 반도체 회사에서 부정사용한 혐의로 A씨 등 CXMT(청신메모리반도체) 핵심 개발 인력 3명을 구속 상태로 재판에 넘겼다고 1일 밝혔다.

서울중앙지검 청사 전경. /조선DB

A씨는 삼성전자 전 임원 출신으로 CXMT 2기 개발실장을 맡은 인물이다. 함께 기소된 B씨와 C씨는 삼성전자 연구원 출신으로 각각 CXMT의 팀장과 수석으로 일했다. 이들은 모두 CXMT의 2기 개발팀 핵심 인력으로, 삼성전자 내부 기술을 활용해 중국에서 D램을 양산했다는 혐의를 받고 있다.

CXMT는 중국 지방정부가 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체회사다. 검찰에 따르면, CXMT는 설립 직후부터 삼성전자 출신 인력을 영입하고 핵심기술 확보에 나서는 등 D램 개발 계획을 수립했다. 이 회사로 유출된 기술은 삼성전자가 1조6000원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램의 최신 공정기술이다.

앞서 검찰은 삼성전자의 국가핵심기술 유출 정황을 포착하고 직접 수사에 나섰다. 그 결과 검찰은 지난해 1월 삼성전자 부장 출신으로 CXMT 1기 개발실장을 맡은 D씨를, 올 5월에는 삼성전자 연구원 출신 E씨를 국가핵심기술 부정취득 혐의로 각각 구속 기소했다. D씨는 1심에서 징역 7년을 선고받았다.

CXMT의 1기 개발실장인 D씨 등은 삼성전자 퇴직자 F씨(인터폴 적색수배 중)를 통해 D램 공정 국가핵심기술 유출 자료를 부정 취득했다. F씨는 수백 단계의 공정정보를 노트에 베껴 적어 유출한 것으로 조사됐다. 이후 2기 개발팀 3명은 1기 개발팀으로부터 삼성전자의 국가핵심기술 유출 자료를 전달 받았다. 이들은 삼성전자의 실제 제품을 분해해 유출 자료를 검증하고, 이를 토대로 제조 테스트를 진행하는 등 체계적으로 기술을 활용한 것으로 조사됐다. 이후 지난 2023년 CXMT는 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램 양산에 성공했다.

A씨 등 2기 개발팀 3명은 CXMT로부터 삼성전자 연봉의 3~5배에 달하는 금액을 받고 기술 유출과 개발에 가담한 것으로 파악됐다. 검찰에 따르면, 이번 사건으로 인한 삼성전자의 손해가 2024년 추정 매출 감소액만 5조원에 이르며 향후 피해액도 최소 수십조원에 달할 것으로 예상된다. 검찰 관계자는 “앞으로도 피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술유출 범죄에 엄정 대응하겠다”고 했다.

[김희래 기자]

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