 |
온세미는 미국 뉴욕주립 스토니브룩대와 함께 800만 달러를 투자해 와이드 밴드갭(WBG) 반도체 연구센터를 설립한다고 22일 밝혔다.
이 센터는 실리콘 카바이드(SiC) 등 WBG 소재·디바이스 구현 기술의 기초 연구와 차세대 전력 반도체 전문 인력 양성이 목표다. 2027년 초 완전 가동 예정이다. 센터장은 탄화규소(SiC) 분야 전문가인 마이클 더들리 스토니브룩대 교수가 맡을 예정이다. 이번 투자는 온세미가 스토니브룩대, 엠파이어 스테이트 디벨롭먼트와 맺은 2000만 달러 규모 파트너십의 일환으로, 뉴욕을 전력 반도체 혁신 허브로 육성하기 위한 조치다.
디네시 라마나선 온세미 기업전략담당 수석부사장은 “첨단 전력 반도체는 인공지능(AI)과 전동화 확산의 핵심이고, 이번 센터는 해당 분야 혁신을 가속할 것”이라며 “전력 반도체 분야의 차세대 기술 돌파구를 마련하고 산업 전반의 지속 가능한 성장을 이끌겠다”고 말했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
[Copyright © 전자신문. 무단전재-재배포금지]
이 기사의 카테고리는 언론사의 분류를 따릅니다.