로옴, 엔비디아 800V HVDC 아키텍처용 전력칩 개발 협력

[디지털데일리 고성현 기자] 로옴(ROHM, 대표 아즈마 카츠미)이 엔비디아와 차세대 인공지능(AI) 데이터센터용 전력 공급 아키텍처 개발 협력에 나선다. AI 인프라의 고성능·고밀도화 추세에 맞춰 와이드밴드갭·화합물 기반 전력반도체 판도를 넓히겠다는 구상이다.

로옴은 엔비디아와 800V 전력 공급 아키텍처 개발에 대한 협업을 전개한다고 13일 밝혔다.

최근 데이터센터 시장은 AI 시대 도래에 따라 인프라 구축 규모가 기하급수적으로 늘어나고 있다. 이에 따라 대규모 전력 공급과 공간 효율성, 비용 절감 등에 대한 요구도 확대되는 추세다.

기존에는 54V 랙 전원을 주로 활용해왔으나 물리 공간적 제약과 구리의 사용량, 전력 변환 손실 등이 문제점으로 꼽혀왔다. 엔비디아의 800V 고전압직류(HVDC) 아키텍처는 송전망의 교류 전력(13.8kV)을 800V 직류로 변환하는 기술로 기존 시스템의 대안으로 꼽힌다.

로옴은 'RY7P250BM'을 통해 AI 서버에 필요한 핫스왑 회로용 48V 전원 시스템용 100V 파워 모스펫(MOSFET) 등을 생산하며 AI 서버용 전력반도체 분야의 핵심 기업으로 자리 잡아왔다. 아울러 이에 필요한 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 와이드밴드갭·화합물 기반 칩도 개발 중이다.

회사는 SiC 디바이스가 산업 용도 등 고전압 및 대전류를 필요로 하는 영역에서 저손실화를 실현할 것으로 봤다. 특히 자체 개발한 SiC 모스펫이 고전압, 고전력 환경에서 스위칭과 도통 손실을 저감하고 소형 고밀도 시스템에 적합한 신뢰성을 갖출 것이란 평가도 내놨다.

GaN 분야에서는 자체 브랜드 'EcoGaN' 시리즈로 150V·650V GaN HEMT 등 다양한 칩 포트폴리오를 갖췄다. 로옴은 SiC가 고전압 및 대전류 용도에 최적화됐다면, GaN은 100V~650V 범위에서 성능을 발휘해 높은 절연 파괴 강도·낮은 ON 저항·초고속 스위칭을 실현할 것으로 봤다.

아울러 로옴은 제4세대 SiC 칩을 탑재한 상면 방열 타입 HSDIP20 등 고출력 SiC 모듈도 구비했다. 특히 1200V SiC 모듈은 LLC 방식의 AC-DC 컨버터 및 프라이머리 DC-DC 컨버터에 최적화되어 고효율 고밀도 전력 변환에도 대응할 수 있다는 게 회사 측 설명이다.

로옴 관계자는 "로옴은 차세대 AI 팩토리를 실현하는 중요 파트너 기업으로서 NVIDIA와 같은 업계 리더를 비롯해 데이터 센터 사업자 및 전원 메이커와도 긴밀하게 연계해 나갈 것"이라며 "로옴의 강점인 SiC 및 GaN과 같은 와이드 밴드 갭 반도체의 최첨단 기술을 제공함으로써 지속 가능하고 에너지 효율이 높은 디지털 사회의 실현에 기여하겠다"고 말했다.

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