한국유타카전자, 미네베아미쯔미 고효율·고신뢰성 IGBT 전력반도체 국내 본격 공급

미네베아미쯔미 IGBT 전력반도체 웨이퍼.

한국유타카전자(대표 박기범)는 정밀 기계 가공품 및 전자 기기 부품 분야 글로벌 선도기업인 일본 미네베아미쯔미의 고성능 전력반도체 제품군인 '절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)'를 국내 시장에 본격적으로 선보인다고 12일 밝혔다.

IGBT는 고전력 스위칭이 필요한 다양한 분야에서 핵심 부품으로 활용한다. 이번 공급 확대는 고부가가치 전력반도체 수요가 증가하는 국내·외 산업계에 고효율·고신뢰를 기반으로 한 새로운 제품을 소개하는 의미로 평가된다.

미네베아미쯔미는 1951년 설립된 일본 도쿄의 정밀 부품 전문기업으로 베어링을 시작으로 반도체·모터·센서 등의 다양한 고부가가치 부품을 개발·제조하고 있다. 현재 전 세계 145개의 자회사와 약 8만5000여 명의 임직원, FY2024년 기준 약 1조5000억엔의 연매출을 기록중이며 자동차·산업기계·항공우주·의료기기·정보통신 등 다양한 산업군에 핵심 부품을 공급하고 있다.

대표 제품으로는 글로벌 시장 점유율 60% 이상인 소형 볼베이링을 비롯해 글로벌 시장 점유율 80% 이상인 배터리 보호 집적회로(IC), 스테핑 모터, 하드 디스크 드라이브(HDD) 스핀들 모터, 정밀 커넥터, IGBT 및 패스트 리커버리 다이오드(FRD) 기반 전력반도체 등이 있다. 자체 웨이퍼 공정 및 집적화 설계 역량을 바탕으로 차량용 및 산업용 전력반도체 공급에 집중하고 있다.

그중 IGBT는 △전기차 구동 시스템·발전 시스템 △태양광 및 풍력 인버터 △용접기 △엘리베이터 제어 △PTC △공작기기 로봇 인버터 등의 핵심 부품으로 사용된다.

미네베아미쯔미 이미지.

미네베아미쯔미의 IGBT 생산 거점은 업무 연속성 계획(BCP)을 목표로 홋카이도 치토세시공장에서는 6인치, 시가 야스시공장에서는 8인치의 체제로 생산하고 있다. 자체 웨이퍼 기반 공정과 시뮬레이션 중심의 칩 설계를 통해 높은 품질과 안정성을 구현한다.

트렌치 게이트 구조 기반의 필드 스톱(FS) 기술을 적용해 낮은 전력 손실, 빠른 스위칭 응답, ±30V 게이트 내압을 지원하며 650V~1700V에 이르는 폭넓은 제품 라인업을 갖추고 있다. MR 시리즈(1세대)는 열 방출 및 전력 밀도에 강점, 산업 모터 및 UPS 등에 적합하고 MI 시리즈(2세대)는 고속 스위칭 환경에서 저손실 성능 최적화돼 있다. MS 시리즈(3세대)는 사이드 게이트 구조를 통해 고속 응답을 실현하고 MIT/MIS 시리즈(4세대)는 칩의 사이즈 소형화, 고효율의 협피치·초박형 기술을 개발할 수 있다. FRD와의 최적 페어링이 가능하다.

IGBT 글로벌 시장은 지난해 약 83억 달러에서 2032년 약 195억 달러로 성장할 것으로 전망되며 연평균 성장률(CAGR)은 11.23%에 달한다. 특히 아시아태평양(APAC) 지역은 전체 시장의 약 44%를 차지하며 중국·일본·한국 등 주요 제조국 중심으로 수요가 급증하고 있다.

한국유타카전자는 미네베아미쯔미의 공식 국내 파트너사로서 20여 년간 국내외 굴지의 고객사에 부품 공급 및 기술 지원을 제공해 왔다. 이번 IGBT 제품군 소개를 통해 전기차와 스마트팩토리, 에너지 인프라 등 고효율 전력 변환이 필요한 핵심 산업군에 맞춤형 기술 제안과 통합 솔루션을 제공할 계획이다.

한국유타카전자 관계자는 “미네베아미쯔미의 IGBT는 성능뿐만 아니라 품질과 공급망 측면에서도 차별화된 경쟁력을 갖춘 제품“이라며 “앞으로도 다양한 국내 고객사와의 협력을 통해 기술 혁신과 시장 확대에 기여하겠다”고 말했다.

양사는 향후에도 전력반도체 기술의 새로운 기준을 제시하며 한국 산업계에 고부가가치 전력 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 방침이다.

김한식 기자 hskim@etnews.com

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