삼성전자 “낸드 결합한 '하이브리드 CXL' 모듈 개발”

손교민 삼성전자 메모리사업부 D램 설계팀 마스터가 13일 서울 강남구 그랜드 인터컨티넨탈 파르나스 호텔에서 열린 '인공지능반도체포럼 조찬강연회'에서 발표하고 있다. (사진=이호길 기자)

삼성전자가 차세대 메모리로 손꼽히는 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 모듈에 낸드플래시를 결합한 제품을 개발했다고 밝혔다.

손교민 삼성전자 메모리사업부 D램 설계팀 마스터는 13일 열린 '인공지능반도체포럼 조찬강연회'에서 “차세대 CXL 솔루션으로 속도가 빠른 D램과 용량이 많은 낸드가 조화를 이룬 하이브리드 구조도 생각해볼 수 있다”며 “기존 D램에는 없는 새로운 응용이 가능해 발전 가능성이 높다”고 말했다.

CXL은 중앙처리장치(CPU), 그래픽처리장치(GPU), 스토리지 등 여러 장치를 하나로 통합한 차세대 인터페이스다. CPU와 메모리 반도체를 연결하는 도로가 기존에는 2~3차선 수준이었다면, CXL은 8차선 이상으로 대폭 늘린 기술로 비유된다. 용량을 확장하고, 데이터 처리 효율성을 높일 수 있다는 장점이 있어 주목받고 있다.

현재 상용화된 CXL 1.1과 2.0 버전은 메모리 모듈(CMM)-D 기반으로, CXL 기능을 제공하는 D램이 탑재된다. 손 마스터가 언급한 하이브리드 구조는 CMM-하이브리드(H)로, D램에 낸드를 접목한 신개념이다. D램 기반 모듈에 낸드를 추가, 저장 용량을 늘릴 수 있는 게 장점으로 보인다.

삼성전자는 프로그래머블 반도체(FPGA)를 활용한 CMM-H 구조 시제품을 제작했다. 2027년 사업화를 목표로 연구개발(R&D)을 고도화하고 있다. 손 마스터는 “용량에 포커스를 맞춘 CXL은 이머징(신흥) 솔루션”이라며 “연구소에서 다양한 형태의 메모리를 R&D하고 있다”고 전했다.

이어 손 마스터는 여러 개의 D램을 쌓아 데이터 처리 속도를 끌어올린 고대역폭메모리(HBM)와 관련해 '맞춤형 HBM' 공급이 본격화되고 있다고 언급했다. 6세대 HBM인 'HBM4'부터 베이스 다이(가장 아랫단의 반도체)에 파운드리 공정이 적용돼 '커스터마이징'이 가능해졌다는 설명이다.

그는 “HBM 베이스 다이를 로직 반도체 프로세스로 만들기 때문에 다양한 고객이 원하는 대로 만들어줄 수 있는 환경이 됐다”며 “굉장히 큰 변화로, 메모리사업부가 고객 맞춤형 메모리를 생산할 수 있는 여지가 생긴 것”이라고 밝혔다.

이호길 기자 eagles@etnews.com

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