SK하이닉스, 10나노급 6세대 1c 미세공정 적용 16Gb DDR5 D램 개발

SK하이닉스가 지난 29일 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. 연내 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급할 계획이다.

SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이고 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다는 판단에서다.

EUV 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상시켰다. 또 EUV 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상시켰다.

EUV(extreme ultraviolet) 공정은 중요한 과정인 포토공정에서 극자외선 파장의 광원을 사용하는 리소그래피(extreme ultraviolet lithography) 기술 또는 활용한 제조공정을 뜻한다.

고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빠르며 전력 효율은 9% 이상 개선됐다.

1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 기대된다.

SK하이닉스 김종환 부사장(DRAM 개발담당)은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM*, LPDDR6*, GDDR7* 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라며, "앞으로도 당사는 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했다.