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반도체 스타트업 칩스케이가 650볼트(V)급 고전압 질화갈륨(GaN) 전력반도체 개발을 국내 최초로 성공했다. 연구원들이 개발된 전력반도체의 특성 검증을 하고 있다.
박지호기자 jihopress@etnews.com
[Copyright © 전자신문. 무단전재-재배포금지]
반도체 스타트업 칩스케이가 650볼트(V)급 고전압 질화갈륨(GaN) 전력반도체 개발을 국내 최초로 성공했다. 연구원들이 개발된 전력반도체의 특성 검증을 하고 있다.
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