삼성·SK, 차세대 메모리 들고 ‘반도체 올림픽’ 출격

반도체 올림픽 ‘ISSCC 2026’ 개최
김기남 고문 11년 만에 특별강연도
삼성, HBM4·LPDDR6·4F²D 공개
SK, LPDDR6·그래픽용 GDDR7 등

삼성전자와 SK하이닉스가 다음달 15~19일(현지시간) ‘반도체 올림픽’으로 불리는 세계 최고 권위의 ‘국제고체회로학회(ISSCC) 2026’에서 올해 메모리 시장을 공략할 차세대 제품들을 공개한다.

22일 업계에 따르면 국제전기전자공학자협회(IEEE)가 주관하는 이번 ISSCC 2026은 미국 샌프란시스코에서 ‘IC(집적회로) 및 SoC(시스템온칩) 혁신을 통한 AI(인공지능)의 발전’을 주제로 열린다.

1954년 시작된 ISSCC는 반도체 회로설계 분야 최고 권위의 학회로 꼽힌다. 올해 엔비디아, 마이크로소프트, 인텔, 미디어텍 등 각 나라를 대표하는 기업의 엔지니어들과 대학교 연구원들이 참여해 논문을 발표하고 최신 기술 동향을 공유한다.

기조연설은 릭 차이 미디어텍 최고경영자(CEO), 아니루드 데브간 케이던스 CEO 등이 맡았다. 작년엔 송재혁 삼성전자 DS(디바이스솔루션)부문 최고기술책임자(사장)가 무대에 오른 바 있다.

삼성전자는 이번 행사에서 1초당 3.3TB(테라바이트)의 대역폭과 36GB(기가바이트)의 용량을 갖춘 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 12단 제품을 공개한다.

지난해 10월 국내에서 열린 반도체대전(SEDEX 2025) 당시 선보인 HBM4의 대역폭은 최대 1초당 2.8TB였으나 그보다 향상된 제품을 선보이는 셈이다. D램 칩에 수천 개의 구멍을 뚫어 칩 사이를 전극으로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 기술 재설계로 대역폭을 확장했다.

대역폭이 커질수록 더 많은 데이터를 빠르게 전송할 수 있어 AI 연산 과정에서 발생하는 데이터 병목현상 감소에 기여한다.

삼성전자의 HBM4는 올해 하반기 본격 양산되는 엔비디아의 차세대 AI 가속기 ‘루빈’ 탑재를 겨냥하고 있다.

삼성전자는 이번 행사에서 저전력 D램인 LPDDR6와 수직 채널 트랜지스터(VCT) 기반의 4F² D램 등 차세대 D램 개발 성과도 공유할 계획이다. F는 반도체의 최소 선폭(Feature Size)을 가리킨다. D램은 셀(Cell) 단위로 데이터를 저장하는데 이 셀 하나가 차지하는 면적을 F²라고 한다. 따라서 4F²란 한 개의 셀이 2F x 2F 면적을 차지한다는 의미로, 한 칩 안에 더 많은 셀을 넣기 위한 고집적 기술을 뜻한다.

CES 2026에서 1c(10나노급 6세대) D램 기반의 LPDDR6를 공개했던 SK하이닉스는 이번 행사에서 핀당 전송속도가 기존 LPDDR5X(9.6Gbps)보다 빠른 14.4Gbps의 LPDDR6를 선보인다. 주로 모바일 기기에 탑재되는 LPDDR6는 저전력 특성이 강점이다. 기기 자체적으로 연산을 수행하는 온디바이스 AI 구현을 위한 핵심 메모리로, 앞으로 출시될 AI 스마트폰에 탑재될 전망이다.

SK하이닉스는 그래픽용 D램 GDDR7도 공개한다. 48Gbps 전송속도와 24Gb(기가비트·3GB) 용량을 갖춰 업계 최고 속도를 구현했다. GDDR7은 고해상도 그래픽 처리뿐 아니라 AI 추론에도 최적화돼 차세대 AI 메모리 시장을 겨냥하고 있다.

앞서 엔비디아는 AI 반도체 ‘루빈 CPX’에 HBM이 아닌 GDDR7 탑재를 예고한 바 있다.

한편, 김기남 삼성전자 고문은 행사 첫 날인 15일 전 세계 대학원의 우수 연구자 26명이 연구 결과를 발표하는 ‘학생 연구 프리뷰(Student-Research Preview)’ 프로그램에서 특별강연에 나설 예정이다. 김 고문의 ISSCC 강연은 지난 2015년 반도체총괄 사장 시절 기조강연 이후 11년 만이다. 김현일 기자