삼성전자, 평택 반도체 공장 생산능력 확대 ‘드라이브’… 가스·화학 장비 잇단 발주

삼성전자 평택캠퍼스 전경./삼성전자 제공

삼성전자가 인공지능(AI) 확산으로 커지는 메모리 반도체 수요에 대응해 평택 반도체 공장의 생산능력 확대를 추진하고 있다. 평택 5라인(P5) 공사 재개를 결정한 데 이어 핵심 기반시설 발주 절차에 들어갔으며, 평택 4라인(P4)도 장비 반입 시점을 앞당기는 움직임이 포착되고 있다.

29일 업계에 따르면 삼성전자는 평택 P5에서 가스·화학물질 공급 설비 발주를 경쟁입찰 방식으로 추진하고 있다. 가스와 화학 공정 장비는 생산라인 구축에 가장 중요한 요소 중 하나다. 통상 발주는 골조 공사 이후 진행되지만 이번에는 양산 시점을 앞당기기 위해 골조 공사와 설비 발주 및 셋업 작업을 동시에 진행하는 ‘패스트트랙’ 방식을 도입할 것으로 알려졌다.

특히 P5는 삼성전자가 평택 2단지에 추진하는 신규 생산라인으로, 최근 내부 의사결정 기구에서 골조 공사 추진을 결정하고 오는 2028년 가동을 목표로 잡았다. 다만 전자·IT 업계가 극심한 메모리 반도체 부족에 시달리고 있으며, 내년부터는 공급 부족이 심화할 것이라는 전망이 제기되면서 가동 시점을 앞당길 것이라는 관측도 나온다.

입찰에는 글로벌 산업가스 업체와 국내 설비 업체들이 참여를 준비하는 것으로 전해졌다. 입찰 참여 예상 사업자(린데·에어리퀴드·한양기공(머크)·원익홀딩스·한양이엔지·에스티아이 등)까지 구체적으로 거론된다. 전체 투자 규모는 최소 수천억원에서 조단위까지 추정된다.

삼성전자에 정통한 관계자는 “이번 P5 투자는 전례 없이 빠르게 진행되고 있다. 가스, 화학 설비 등 ‘유틸리티’ 파트는 골조 공사 이후에 진행되는 것이 일반적인데 이번엔 병행 투자가 결정된 것으로 보인다”며 “그만큼 시장 상황에 발빠르게 대처해야 한다는 경영진의 판단이 작용한 것”이라고 설명했다.

삼성전자가 오랜 기간 준비해온 10나노 6세대(1c) D램 생산의 중심이 될 P4 확장 투자도 속도전 양상이다. 최근에는 P4 장비 반입과 시험 가동 목표가 기존 계획보다 2~3개월가량 앞당겨진 것으로 알려졌다. 1c D램은 내년 AI 메모리 시장 최대 격전지인 6세대 HBM(HBM4)에 탑재된다.

최첨단 공정에 대한 투자도 이어지고 있다. 삼성전자는 앞서 하이 NA EUV(High NA EUV) 장비를 양산용으로 도입하기로 결정했고, 차세대 미세 공정에 빠르게 대처하고 있다. EUV(극자외선) 장비의 경우 반입 이전에 다양한 보조 장비와 플랫폼 구축이 필수적이다. 이는 최근 삼성전자의 적극적인 장비 발주와 연관이 깊다는 것이 업계의 해석이다.

주요 장비 협력사들도 삼성전자의 투자 속도에 보조를 맞추는 데 주력하고 있다. 국내 대형 장비업체 관계자는 “예상보다 삼성전자의 주문 규모가 커 납기를 맞추기가 빠듯할 정도로 속도가 빠르다”면서 “국내 장비 업체의 경우 빡빡한 일정에도 모든 생산라인을 총동원해 최대한 스케줄을 맞춰본다는 분위기지만 해외 업체들 중 일부는 난색을 표할 정도다”라고 설명했다.

황민규 기자(durchman@chosunbiz.com)

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