"HBM4 판 뒤집힐 수도" 이런 말 나온다, 삼성 이유있는 자신감

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반도체 초격차 회복 시동

이재용 삼성전자 회장(가운데)이 22일 경기 용인 기흥캠퍼스 차세대 연구개발 센터를 방문했다. 이 회장이 국내 반도체 사업장을 직접 찾은 것은 2023년 10월 이후 2년2개월 만이다. [사진 삼성전자]

이재용 삼성전자 회장이 22일 기흥·화성 반도체 캠퍼스를 방문해 차세대 반도체 기술 경쟁력을 점검했다. 이 회장이 국내 반도체 사업장을 직접 찾은 것은 2023년 10월 이후 2년 2개월 만이다. 해외 경영 행보에 이어 국내 핵심 사업장을 직접 점검하며 반도체 사업에 힘을 싣는 모습이다.

삼성전자에 따르면 이 회장은 이날 오전 경기 용인 기흥캠퍼스 내 차세대 연구개발(R&D) 시설인 NRD-K를 방문해 메모리·파운드리·시스템반도체 등 차세대 제품과 기술 경쟁력을 살폈다. NRD-K는 공정 미세화에 따른 기술적 한계를 극복하고 차세대 반도체 설계·공정 기술을 확보하기 위해 조성 중인 최첨단 복합 연구개발 단지다. 삼성전자는 2030년까지 NRD-K에 약 20조원을 투자해 미래 반도체 기술 확보의 전초기지로 키울 계획이다.

이 회장은 이어 화성캠퍼스로 이동해 디지털트윈과 로봇을 적용한 제조 자동화 시스템 구축, 인공지능(AI) 기술 활용 현황을 점검했다. 디지털트윈은 현실의 공장과 장비, 공정을 가상 공간에 구현해 실시간으로 분석·예측할 수 있게 하는 기술로, 삼성전자는 이를 통해 공정 개발 역량과 생산 효율을 동시에 높인다는 전략이다. 화성캠퍼스에서는 전영현 DS부문장, 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 등 반도체 사업 주요 경영진과 함께 글로벌 첨단 반도체 산업의 기술 트렌드와 중장기 전략을 논의했다.

이 회장은 현장에서 HBM, D1c, V10 등 최첨단 반도체 제품의 사업화에 기여한 개발·제조·품질 담당 직원들과 간담회를 갖고 현장 의견을 청취했다. 이 회장은 이 자리에서 “과감한 혁신과 투자를 통해 본원적 기술 경쟁력을 회복하자”고 강조한 것으로 전해졌다.

삼성전자는 HBM 등 초기 AI 반도체 시장에서 일시적으로 주도권을 놓쳤다는 평가를 받았지만, 최근에는 기술 경쟁력 회복에 속도를 내고 있다. HBM3E는 전 고객을 대상으로 판매선을 넓혀 올해 3분기 판매량이 2분기보다 1.8배 이상 증가했다. 차세대 제품인 HBM4는 이미 개발을 완료해 주요 고객사에 샘플을 공급했는데, 최근 엔비디아가 진행한 HBM4 품질 평가의 핵심 관문인 시스템인패키지(SiP) 테스트에서 전력 효율과 구동 속도 측면에서 긍정적인 평가를 받은 것으로 알려졌다. HBM은 그래픽처리장치(GPU) 등과 결합해 사용되는 만큼, 서로 다른 공정에서 제작된 칩들이 하나의 시스템 안에서 안정적으로 작동하는지를 검증하는 SiP 테스트가 품질 평가의 핵심으로 꼽힌다.

김경진 기자

이에 따라 삼성전자의 4분기 실적 개선 기대도 커지고 있다. 범용 D램 가격 상승이 수익성 회복으로 이어질 것이란 관측이다. 증권가에선 삼성전자의 4분기 영업이익이 18조원 이상을 기록할 것으로 보고 있다. 이 가운데 DS부문 영업이익은 15조1000억원 안팎으로 전분기 대비 166%, 전년 동기대비 422% 증가할 것으로 추정된다.

앞서 이 회장은 미국을 방문해 글로벌 빅테크(대형 기술기업) 최고경영자(CEO)들과 잇따라 만나며 AI 메모리와 파운드리 등 반도체 사업 전반을 챙겼다. 이 회장은 리사 수 AMD CEO와 내년 HBM4 공급과 차세대 AI 칩 관련 파운드리 협업을 논의했으며, 일론 머스크 테슬라 CEO와도 만나 반도체 분야 협력 방안을 모색했다.

박영우·이우림 기자

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