삼성전자 DS서 IEEE 펠로우 배출…차세대 통신·D램 역량 입증

[디지털데일리 고성현기자] 삼성전자 반도체(DS)부문에서 미국 전기전자공학회(IEEE) 펠로우(석학회원)가 배출됐다.

22일 삼성전자 반도체 뉴스룸에 따르면 송기봉 DS부문 미주 반도체연구소(DSRA) 시스템LSI 연구소장과 한진우 반도체연구소 D램 기술개발(TD)팀 한진우 상무가 2026년 IEEE 펠로우로 선정됐다.

'IEEE 펠로우'는 미국 전기전자공학회가 회원에게 부여하는 최고 명예 등급이다. 전체 회원 상위 0.1%만 오를 수 있는 권위 있는 자격이다. 전기·전자공학 전반 10년 이상 경험을 쌓고 통신·반도체 등 다양한 분야에서 탁월한 연구개발 성과로 산업과 사회 발전에 기여한 인물이 선정된다. IEEE 이사회는 이를 매년 엄정한 기준에 따라 선정한다.

송기봉 부사장은 글로벌 빅테크를 거쳐 삼성전자 미주 반도체연구소에 합류한 인물이다. 시스템LSI 미주 연구소를 총괄하며 모뎀·커넥티비티·온디바이스 AI·시스템온칩(SoC) 기술 개발을 이끌고 있다.

송 부사장은 현재까지 무선통신, 신호처리, 모뎀-RF 시스템을 위한 인공지능(AI) 기술 등과 관련해 다수의 연구 논문을 발표했고 80건이 넘는 특허를 보유하고 있다.

특히 오랜 기간 셀룰러 통신 분야에 축적해온 온 모뎀-RF 시스템 설계와 성능 최적화 기여가 이번 펠로우 선정에 반영됐다. 이중에서도 업계 최초 5G 모뎀 개발·5G 밀리미터파(mmWave) 송수신기 기술 고도화, 엑시노스 모뎀 5400·엑시노스 2500에 적용된 비지상 네트워크(NTN) 기술 기반 '위성 응급 서비스' 구현 등 차세대 이동통신 상용화를 이끈 성과가 높이 평가받았다.

송 부사장은 삼성전자 DS 뉴스룸에서 "그동안 연구자이자 기술인으로서 개발해 온 기술과 제품이 사회에 기여했다는 점을 인정받게 되어 매우 영광"이라며 "이번 선임을 계기로 앞으로 더욱 뛰어난 반도체 기술과 제품 개발로 사회에 기여해 나가겠다"고 말했다.

이어 미주 반도체연구소의 목표로 "6G와 피지컬 AI 시대에는 수많은 머신과 센서가 생성하는 데이터가 서로 상호작용하게 될 것"이라며 "통신, 연산, 센싱이 만나는 지점을 중심으로 새로운 반도체 기술과 제품을 창출하고, 미래 혁신을 주도해 나가겠다"고 밝혔다.

한진우 상무는 차세대 3D D램 연구를 주도한 개발 공로와 연구 성과를 인정받았다. 그는 미국 항공우주국을 거쳐 삼성전자에 합류했으며, 200건 이상 특허와 160편 이상 SCI급 논문을 발표하며 메모리·로직·센서 등 다양한 분야에서 연구 성과를 쌓아왔다.

3D D램은 D램 셀(Cell)을 평면이 아닌 수직으로 쌓아 칩 면적당 저장 용량을 확장하는 접근법이다. 현재 한 상무는 DS부문 반도체연구소에서 차세대 D램 연구 조직을 담당, 3차원 구조 메모리 셀에 적용하는 D램 개발을 주도하고 있다.

한 상무는 이번 선정에 대해 "논문과 학회 활동, 그리고 학회 커미티로서의 봉사를 긍정적으로 평가해 주신 점에 깊이 감사하고 있다"며 "무엇보다 동료 펠로우들로부터 연구자로서 노력을 인정받았다는 사실이 큰 영광"이라는 소감을 밝혔다.

아울러 그는 "맞춤형 스페셜티(Specialty) 제품의 수요가 꾸준히 늘어나는 만큼 수평적으로 다양한 연관 기술을 이해하고 연결하는 역량, 수직적으로 제품 구조와 계층 관계에 대한 깊은 이해를 갖추는 것이 중요하다"며 "기술을 넓게 바라보고 국제적 네트워크를 구축해 협력할 수 있는 우호적 연구 생태계를 만드는 것이 경쟁력이 될 것"이라고 말했다.

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