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〈자료사진=연합뉴스〉 |
검찰은 중국 반도체 회사로 이직해 삼성전자의 핵심 기술을 불법 유출·부정 사용한 전직 임원과 연구원 3명을 구속 기소했다고 1일 밝혔습니다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(김윤용 부장검사)에 따르면, 삼성전자 전 임원 양 모 씨와 전직 연구원 신 모 씨, 권 모 씨 등 3명은 중국 CXMT에 이직한 뒤 불법 유출된 국가 핵심기술을 부정 사용해 중국 최초 18나노 D램 개발에 참여한 혐의를 받습니다.
CXMT는 중국 지방정부가 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초 D램 반도체 회사입니다.
검찰에 따르면 유출된 기술은 삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정기술로, 수백 단계의 제조 공정 정보가 고스란히 담긴 핵심 자료입니다.
앞서 검찰은 지난해 1월 삼성전자 부장 출신 김 모 씨를, 지난 5월 전직 삼성전자 연구원인 전 모 씨를 국가 핵심기술 부정취득 혐의로 각각 구속 기소한 바 있습니다.
이후 추가 수사 결과, CXMT 1기 개발실장 김씨는 삼성전자 퇴직자 A씨로부터 D램 공정 국가 핵심기술 자료를 부정 취득한 사실이 드러났습니다. A씨는 수백 단계의 공정 정보를 노트에 베껴 유출한 것으로 조사됐습니다.
CXMT 2기 개발팀장 양씨와 신씨, 권씨는 1기 개발팀으로부터 유출 자료를 전달받아 실제 제품을 분해·검증하고 이를 토대로 제조 테스트를 진행하며, 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램 양산에 성공했습니다.
양씨 등은 CXMT로부터 각각 4~6년간 15~30억원의 급여를 받은 것으로 확인됐습니다.
검찰은 이 사건으로 삼성전자의 지난해 추정 매출감소액은 5조원으로 추정되며, 향후 최소 수십조원의 피해가 예상된다고 전했습니다.
장영준 기자
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