TSMC 회장, ASML 비밀 방문…"차세대 EUV 노광장비 구매 논의"

1나노 공정 R&D 장비 구매 확정설 등 분분

1나노 공정 R&D 장비 구매 확정설 등 분분

TSMC의 12 팹(fab·반도체 생산공장) [연합뉴스 자료사진]

(타이베이=연합뉴스) 김철문 통신원 = 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 기업 대만 TSMC의 회장이 네덜란드 반도체 장비업체인 ASML을 비밀리에 방문, 차세대 극자외선(EUV) 노광장비 구매를 논의했다고 연합보 등 대만언론이 18일 보도했다,

한 소식통은 웨이저자 TSMC 회장이 지난 5월 ASML을 찾아 첨단 EUV 노광장비인 '하이(High) 뉴메리컬애퍼처(NA) EUV' 구매를 사실상 확정했다고 밝혔다.

이 소식통에 따르면 해당 장비는 올해 가을께 대만 북부 신주 TSMC의 12 팹(fab·반도체 생산공장) 연구개발(R&D) 센터에 설치되며 'A10 기술' R&D에 투입될 것으로 알려졌다.

'A10 기술'은 차세대 1nm(나노미터·10억분의 1m) 관련 공정을 의미한다.

ASML은 최첨단 반도체 양산에 필요한 EUV 노광장비를 독점 생산하는 기업이다.

반도체 전(前) 공정의 하나인 노광 공정은 웨이퍼에 미세하고 복잡한 전자 회로를 인쇄하는 과정이다.

ASML의 EUV 노광장비는 빛의 파장이 기존 장비보다 짧아 이를 이용하면 더 미세한 반도체 회로를 만들 수 있다. 특히 7나노 이하 반도체 초미세공정에 꼭 필요한 장비로 꼽힌다.

다른 소식통에 따르면 웨이 회장은 지난 5월 자사의 타이베이 기술 심포지엄에도 불참한 채 ASML과 독일의 공업용 레이저 기업 '트럼프'(TRUMPF)를 방문했다.

다만 해당 소식통은 당시 TSMC와 ASML 간 하이 NA EUV 구매 가격 협상은 실패했으나 양사의 R&D 협력 장소를 네덜란드에서 신주의 TSMC로 이전하는 것에 대해서는 어느 정도 진전이 이뤄졌다고 덧붙였다.

두 소식통이 전하는 TSMC의 하이 NA EUV 구매 상황에 다소 차이가 있는 셈이다.

앞서 대만언론은 지난 1일 TSMC가 2나노 반도체 등 최첨단 공정 R&D 확대 등을 위해 내년도 자본지출(설비투자) 규모를 최대 약 50조원으로 확대한다고 보도한 바 있다.

나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 빨라진다. 현재 세계에서 가장 앞선 양산 기술은 3나노다.

2나노 부문에서는 TSMC가 대체로 우세한 것으로 전문가들은 평가하고 있다.

jinbi100@yna.co.kr

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