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연합뉴스 |
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조 바이든 미국 행정부가 반도체법(CHIPS Act)에 따른 보조금을 받는 기업이 중국 내 반도체 생산 능력을 확장할 수 있는 범위를 기존 5% 선으로 유지하기로 최종 결정했다.
미 상무부는 이같은 내용을 골자로 하는 반도체법 가드레일(안전장치) 규정 최종안을 22일(현지시간)공개했다.
이는 지난 3월 미 상무부가 발표한 '가드레일(안전장치) 조항' 초안에 담겼던 수준이 그대로 유지된 것이다.
초안 공개 이후 우리 정부는 줄곧 '보조금 가드레일' 조항을 완화해 삼성전자와 SK하이닉스 등 한국 기업들의 중국 내 반도체 생산 확장 기준을 두 배인 10%로 늘려달라고 요청했지만, 결국 받아들여지지 않은 것이다.
다만 '투자액 제한' 규정이 사라지는 등 국내 기업들에 다소 유리한 내용도 일부 담겼다.
미 상무부는 자국 반도체 보조금을 받은 기업이 향후 10년 간 중국 등 우려 국가에서 반도체 생산을 '실질적으로 확장(material expansion)'하는 중대 거래를 할 경우 보조금 전액을 반환하도록 하는 규정을 마련했다.
이날 상무부가 발표한 '실질적 확장'은 첨단 반도체의 경우 5% 이상, 범용 반도체는 10% 이상이다. 현재 범용 반도체 기준은 D램은 18나노미터 이상, 낸드플래시는 128단 이하 등이다.
삼성전자와 SK하이닉스의 경우 현재 중국에서 범용 반도체 보다 높은 수준의 반도체를 생산하고 있어, 미국 정부의 보조금을 받을 경우 첨단 반도체에 해당하는 '5% 확장 제한' 규정을 적용받게 된다.
물론 다소 수정된 부분도 있다. 기존 초안에서는 '중대한 거래'를 10만 달러(약 1억3000만원) 이내로 규정했으나, 최종안에서는 이 한도 규제가 빠진 것이다.
여기다 기존 장비를 업그레이드하거나 효율성 개선을 통해 생산 시설을 유지할 수 있도록 허용했다.
또 원칙적으로는 '우려 국가'의 정부가 소유·통제하는 기업과 국가안보 관련 기술에 대한 공동연구 등을 금지했지만, 새로운 프로젝트가 아닌 기존에 진행 중인 연구에 대해서는 일부 예외를 두기로 했다.
블룸버그통신은 "'중대한 거래' 한도 삭제 등의 조치는 인텔, TSMC, 삼성전자 등을 대변하는 정보기술산업위원회(ITIC)가 반대 의사를 표명한 후 나온 것"이라고 전했다.
지나 러몬도 미 상무장관은 이날 성명을 통해 "이번 가드레일은 미국 정부의 자금을 받는 기업들이 우리 국가안보를 훼손하지 않도록 하는 데에 도움이 될 것"이라고 말했다.
이날 최종안이 나온 가드레일과는 별도로 대(對)중국 반도체 장비 반입 규제도 여전히 국내 기업의 발목을 잡고 있다.
지난해 10월부터 중국에서 사업을 하는 반도체 업체가 18나노 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시, 14나노 이하 시스템반도체를 생산할 수 있는 장비를 중국에 들여오려면 미국 정부의 사전 허가를 받아야 하기 때문이다.
삼성전자와 SK하이닉스는 해당 규제에 대해서는 1년간 유예 조치를 받았다. 유예 종료시한이 다음달 11일로 다가오면서 그동안 한·미 양국은 유예 연장 및 방식을 두고 협의를 진행해 왔다.
업계에서는 유예 기간을 당초 1년에서 다년간 연장하는 방안이 나올 것으로 기대하고 있는 상황이다.
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