키옥시아, 218단 낸드플래시 개발 성공…삼성·SK와 각축전

고객용 샘플 출하…올해안 양산 계획

낸드플래시 '적층단수 쌓기 전쟁' 격화

[이데일리 김상윤 기자] 글로벌 낸드플래시 2위업체인 일본 키옥시아가 218단 낸드플래시 메모리 개발에 성공했다.

키옥시아 낸드플래시 칩 (사진=키옥시아)

31일 니혼게이자이신문(닛케이)에 따르면 키옥시아는 218단 낸드플래시를 개발하고, 고객용 샘플을 출하했다고 밝혔다. 양산은 올해안에 들어가겠다는 계획이다.

키옥시아는 이번에 개발한 218단 1Tb 낸드플래시는 비트밀도를 50% 이상 높이고 정보 전송 속도는 초당 3.2Gb로 이전 세대보다 60% 빠르다고 설명했다.

키옥시아는 미국 반도체기업인 웨스턴디지털(WB)과 공동으로 기술개발과 설비투자에 나서고 있다. 두 회사는 몇가지 고유한 프로세스와 아키텍처를 도입해 비용을 절감하고 성능을 극대화시킬 수 있었다고 강조했다.

키옥시아의 합류로 낸드플래시 톱4는 앞으로 8세대 낸드플래시 시장에서 치열한 점유율 싸움을 벌일 것으로 예상된다.

낸드플래시의 경우 적층 단수를 높이 쌓는 기술력을 놓고 기업들간 경쟁이 벌어지고 있다. 통상 V낸드는 데이터를 저장하는 공간인 셀을 수직으로 쌓아 용량과 성능을 높인다. 셀을 높고 촘촘히 쌓을수록 성능과 효율이 올라간다. 미국 마이크론이 지난해 7월 세계 최초로 232단 낸드 양산에 나선 이후 SK하이닉스는 지난해 8월 238단 개발, 삼성전자는 지난해 11월 236단 낸드 양산에 들어갔다.

대만의 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 낸드플래시 시장점유율은 삼성전자가 33.8%, 키옥시아가 19.1%, SK하이닉스와 자회사의 시장점유율은 17.1% 를 기록했다.