미 반도체법 시행령, 한국 업체들 '최악'은 피해

중 반도체 생산 5% 이상 확대 불가하지만 웨이퍼당 생산능력 확대는 제약 없어

[파이낸셜뉴스]

미국 상무부가 21일(현지시간) 공개한 반도체법 시행령이 한국 반도체 업체들의 이른바 '차이나 리스크' 최악은 비켜간 것으로 확인됐다. 사진은 2021년 12월 29일 삼성전자의 중국 시안 반도체 공장. 뉴시스

반도체법, 이른바 칩스법(CHIPS Act)에 따라 미국에서 보조금을 받으면 중국에서 반도체 생산을 5% 넘게 확대하는 것이 금지된다.

또 이전 기술을 활용한 구형 반도체 생산 역시 10% 이상 늘릴 수 없다.

다만 웨이퍼 당 반도체 생산 개수를 확대하는 것은 생산능력 확대로 포함되지 않아 한국 반도체 업체들의 숨통이 트이게 됐다.

보조금 받으면 중 생산능력 확대 제한

미국 상무부는 21일(이하 현지시간) 지난해 의회를 통과한 미 반도체지원법 시행규정을 공개했다.

워싱턴이그재미너 등 외신에 따르면 상무부 시행령에 따라 미 반도체법의 보조금을 받은 업체들은 이후 10년간 중국에서 반도체 생산능력을 5% 이상 확대할 수 없다.

한국 삼성전자, SK하이닉스, 대만 TSMC 등 외국 업체는 물론이고 인텔 같은 미 업체들도 이 규정을 적용 받게 된다.

미 상무부는 반도체법에 따른 지원금이 국가안보를 저해하는 용도로 활용되지 못하도록 설정한 가드레일 조항과 관련한 이같은 시행령을 관보 등을 통해 공개했다.

시행령에 따르면 중국내 생산시설을 5% 이상 확대할 수 없다.

상무부는 그러나 화웨이 등 중국 업체와 공동 연구는 불가능하다는 점을 못박았다.

미 반도체법은 미국내 반도체 생산을 확대하기 위해 국내외 업체를 막론하고 미국에서 반도체를 생산하는 기업에 막대한 보조금을 지급한다.

그러나 이 혜택을 중국이 간접적으로 보는 것을 막기 위해 보조금을 받은 기업은 이후 10년 간 중국을 비롯해 미국의 안보를 해칠 우려가 있는 국가에서는 반도체 생산능력을 '실질적으로 확장'할 수 없도록 하고 있다. 반도체 생산능력을 실질적으로 확장하는 '중대한 거래'를 할 경우에는 그동안 받은 보조금을 모두 토해내야 한다.

상무부는 시행령에서 실질적인 확장은 양적인 생산능력 확대로, 중대한 거래는 규모가 10만달러(약 1억3000만원) 이상인 경우로 규정했다.

중국내 반도체 생산설비 확대에 10만달러 이상을 투자할 수 없도록 했다.

10만달러 이상을 투자할 경우에는 첨단반도체는 생산능력을 5% 이상, 이전 세대의 범용 반도체는 생산능력을 10% 이상 확대할 수 없다.

웨이퍼당 반도체 생산확대는 포함 안돼

범용 반도체 기준도 정했다.

로직반도체는 28나노미터(nm, 10억분의1m), D램은 18나노미터, 그리고 낸드플래시는 128단으로 정의했다.

이보다 높은 수준의 반도체를 생산하려 할 경우 새 시설 건설, 새 반도체 제조 능력추가 등을 통한 생산능력 확장이 5%까지만 허용된다.

로직반도체의 경우 지난해 10월 상무부가 발표한 14나노미터에 비해 기준이 강화됐지만 D램, 낸드플래시 등 한국 반도체 업체들의 주력 생산품목 기준에는 변화가 없었다.

이날 상무부 시행령 발표로 한국 반도체 업체들은 일단 안도하게 됐다. 적어도 최악은 피했기 때문이다.

한국 업체들은 반도체법의 '실질적 확장'에 기술 업그레이드를 통한 생산능력 확장이 포함될 가능성을 우려해왔다.

상무부는 시행령을 설명하면서 기술개발로 웨이퍼 한 장을 통해 생산하는 반도체가 늘어나는 것은 생산능력 증대로 보지 않을 것이라고 밝혔다.

반도체 생산 능력 기준은 반도체 제조시설의 경우 월별 웨이퍼 수, 반도체 패키지 시설의 경우 월별 패키지 수로 규정했다.

중국내 반도체 생산 능력 확대에 제동을 걸기는 했지만 기술 개발을 통해 웨이퍼당 반도체 생산량을 늘리는 기술적 업그레이드는 규제하지 않는다는 방침이다.