삼성전자가 내년부터 5세대 10㎚(나노미터)급의 D램 반도체를 양산하겠다고 밝혔습니다.
이 계획이 현실화되면 4세대 14나노급 D램을 생산하고 있는 다른 경쟁사를 앞서가는 겁니다.
삼성전자는 현지시간 5일 미국 실리콘밸리에서 '삼성 테크 데이'를 3년 만에 오프라인으로 열고, 차세대 메모리 반도체 로드맵을 내놨습니다.
10㎚는 머리카락 굵기의 1만분의 1 수준인데, 선폭이 좁을수록 한 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 만들 수 있어 생산 효율을 높일 수 있습니다.
장서윤 기자
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